随着大规模集成电路的发展，集成度不断提高，线宽不断减小，对硅片的表面质量要求也越来越严格。这主要是因为抛光硅片表面的颗粒和金属杂质沾污会严重影响器件的质量和成品率。据报道，对于线宽为0.35 μm的64M DRAM器件，抛光片的表面金属杂质沾污应全部小于5×10¹⁶ at·cm^-2  。因此，除了硅片生产工序中清洗外，沾污测试也十分重要。

测试方法：

全反射X射线荧光光谱法

测试范围：

（1）样品范围：硅单晶抛光片，外延片

（2）测试元素范围：元素周期表中原子序数16（S）~ 92（U）。常见检测元素：K，Ca，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，As，Mo，Pd，Ag，Sn，Ta，W，Pt，Au，Hg，Pb。

（3）沾污测试范围：10⁹ at·cm^-2 ~ 10¹⁵ at·cm^-2。

测试标准：

GB/T 24578-2015

测试原理：

X射线以低于临界角的倾斜角度掠射到硅片的抛光表面，发生X射线的全反射。同时，X射线的损耗波将硅片表面沾污的元素激发，发射出对应原子序数的特征X射线荧光谱。通过荧光谱强度可以得到沾污元素的含量。

样品要求：

试样测试面是经过化学机械抛光的镜面状态。

测试资质：

CMA，CNAS

测试设备：全反射X射线荧光光谱仪

设备参数：

（1）可以测定8寸及以下晶圆，适用抛光片硅片、SiC、InP、GaAs等

（2）元素分析范围（S~U）

（3）1E9 原子/cm² 检测限

（4）为后续分析从缺陷检测工具倒入测量坐标