1.测试内容
启发科技MMIC实验室
对于器件建模、技术开发、半导体工艺开发和规范、过程控制、元器件定标和试生产来说，精确和可重复的晶圆级（On Wafer）测量必不可少。半导体技术正在不断发展，产品从设计到上市的速度越来越快，同时对于更高精度的需求也日益增加。面对这些挑战，用户亟需一款综合的解决方案，以快速和精确地对元器件实施先进的直流和射频测量。
实验室配置了行业领先的Cascade Microtech晶圆级探针台、微波和直流偏置探头以及校准工具，并与是德科技Keysight Technologies的测试仪器、测量和分析软件完美结合，使您可以对所有元器件执行全方位的测量。
2. 设备及指标：
1）. 毫米波矢量网络分析仪N5290A
型号 | 名称 | 功能 |
N5290A | 微波矢量网络分析仪，900Hz~110GHz，四端口 | 覆盖单端、差分测试 |
S93029A | 利用矢量校正进行噪声系数测量 | 利用矢量源校正技术，对放大器、频率转换器和混频器进行高精度的噪声系数和噪声功率测量。该技术使用源阻抗调谐器来去除不完美的系统源匹配效应。本方法所产生的精度超越了 Y 因子方法和其他冷源实施方法所能提供的精度，尤其是对于夹具、晶圆上和自动测试环境而言。 l 测量放大器、混频器和转换器的噪声系数，测量频率高达67GHz（使用高达 50GHz的低噪声接收机，或使用50GHz 至67GHz的标准接收机） l 通过单次连接即可执行快速且精确 S 参数、噪声系数、压缩、IMD、谐波等测量 l 对于＞67GHz的噪声系数测量使用传统的Y因子法 |
S93083A | 矢量和标量混频器/转换器测量 | 利用扫描或固定输入和输出频率以及输入和本振功率，提供经过匹配校正的转换损耗/增益以及相位和绝对群时延测量。 |
S93084A | 嵌入式本振功能 | 将矢量网络分析仪的接收机调谐到被测转换器的输出频率，而无需使用内部本振或通用参考信号。对于具有嵌入式本振的转换器来说，这样能够测量经过匹配校正的转换损耗/增益和绝对群时延 |
S93086A | 增益压缩测量选件 | 能够在规定的频率和功率范围内，通过简单设置，在放大器或频率转换器的压缩点提供快速而精确的输入功率、输出功率、增益和相位测量。该选件还包括一个引导式校准程序，能够对绝对功率电平、频率响应和失配误差进行校正。 |
S93087A | 互调失真测量 | 能够控制内部和外部信号源的频率和功率，并能够在一个测量通道中在主音频和 IMD 音频上调谐接收机。用户可以扫描两个激励信号的中心频率、两个激励信号与固定中心频率的间隔，也可以仅扫描一个激励信号、同时扫描两个激励信号或扫描本振信号的功率。分析仪能够测量阶次为 2、3、5、7 或 9 的互调失真信号，并显示相关截获点。 |
S93088A | 信号源相位控制 | 使用户能够设置两个信号源之间的校准、任意相位差异以及相对功率电平。信号源可以是分析仪的内部信号源，或者是路由通过分析仪测试装置的外部信号发生器。 |
S93089A | 差分和 I/Q 器件测量 | l 精确控制多个信号源的相位，以便用于正交或差分驱动，无需使用混合耦合器和平衡-不平衡转换器 l 调谐接收机的频率到指定的所有输出频率上，以便全面地表征被测器件 l 利用固定的相位偏置扫描频率，或以固定频率扫描相位或功率 l 测量 I/Q 转换器/调制器、差分混频器，或差分放大器的谐波 |
S94511A | 元器件的非线性特性测量 | 测量和表征元器件在所有端口处于大输入功率情况下所生成的谐波的幅度和相对相位 |
S94514A | 非线性X参数测量 | 正确表征阻抗失配和频率混合特性，从而能够精确仿真级联的非线性 X 参数模块，例如无线设计中的放大器和混频器 |
S94520A | 任意负载阻抗 X 参数 | 在满负载条件下通过 X 参数捕获完整的非线性元器件行为。 l 在每个谐波上，将幅度和相位数据当作功率、偏置和负载的非线性函数进行测量 l 将 X 参数级联扩展到任意大的负载失配 l 使用 ADS，通过简单的拖放操作就可以建立器件模型，设计多级、Doherty 或其他复杂的放大器电路 l 在任意负载条件下（甚至在极大的压缩条件下），测量和预测输入端口和输出端口的动态负载线 |
2）.半导体参数分析仪B1500A
型号 | 名称 | 功能 |
B1500A | 半导体器件参数分析仪/半导体表征系统主机 | Keysight B1500A 半导体器件分析仪属于精密电流-电压分析仪，是一款能够提供 IV、CV、脉冲/动态 IV 等丰富功能的综合分析仪，旨在全面满足从基础到尖端应用的表征需求。B1500A 提供极其丰富的测量功能，支持器件、材料、半导体、有源/无源器件甚至几乎所有其他类型电子器件的电气表征和测试，并且具有卓越的测量可靠性和测量效率。 |
B1500A-A10 | 大功率电源/测量单元 | l 最大200V/1A l 最小测量分辨率10fA/2μV l 最小电源分辨率50fA/100µV l 最小 100μs 采样率 (时域)测量 l 最小脉宽 500μs, 100μs 分辨率 l 准静态电容电压 (QSCV)测量, 具有泄漏 电流补偿 |
B1500A-A11 | 中功率电源/测量单元 | l 最大100V/0.1A l 最小测量分辨率10fA/0.5μV l 最小电源分辨率50fA/25µV l 最小 100μs 采样率 (时域)测量 l 最小脉宽 500μs, 100μs 分辨率 l 准静态电容电压 (QSCV)测量, 具有泄漏 电流补偿 |
B1500A-A17 | 高分辨率电源/测量单元 | l 最大100V/0.1A l 最小测量分辨率1fA/0.5μV l 最小电源分辨率5fA/25µV l 最小 100μs 采样率 (时域)测量 l 最小脉宽 500μs, 100μs 分辨率 l 准静态电容电压 (QSCV)测量, 具有泄漏 电流补偿 |
B1500A-A20 | 多频率电容测量单元 | l 频率范围为1kHz至5MHz l SMU 和 SCUU 提供 25V内置直流偏置和 100V直流偏置 l 交流阻抗测量 (C-V、C-f、C-t) |
B1500A-A25 | 高电压半导体脉冲发生器单元 | l 高压输出可达 ±40 V，适用于非易失存储器测试 l 每通道支持二电平和三电平脉冲 l ALWG 可以灵活地生成任意波形（任意线性波形生成功能），分辨率为 10ns l 高度精确的强励电压与 0.4mV 分辨率 l 频率范围为 0.1Hz 至 33MHz l 电压监测时间最小值是5µs l 每个模块具有两个通道 |
B1500A-A30 | 波形发生器/快速测量单元 | l 支持快速、高灵敏度的 IV（电流-电压）测量、脉冲 IV 测量和瞬时 IV 测量，适合各种应用场合，比如 NBTI/PBTI 和 RTN（随机电报信号噪声）等 l 可以生成任意波形，编程分辨率为 10 ns（除了直流输出以外） l 同时执行高速 IV 测量（最高200MSa/秒） l 精度为1nA的高灵敏度测量 l 10V 峰峰值输出 l 双通道输出 |
3)．FormFactor
型号 | 名称 | 功能 |
Summit 12000 | 200mm 半自动探测台 | 8英寸半自动毫米波射频探针台 载物台X-Y方向：1µm (0.04 mils)分辨率、小于2µm 重复精度、大于50mm/sec的移动速度；Z方向：5mm的移动范围、1µm 分辨率、小于1µm 重复精度；Theta方向：转动角度范围+/-5.5度 平坦度误差优于30um；芯片载台带有两个独立的附加小载台，方便放置射频校准片；
配置先进的微暗室技术，确保良好的测试环境，拥有最低20dB 0.5-3 GHz、小于-170 dBVrms/rtHz（≤50KHz）、小于5mVp-p (≤ 1GHz)的系统AC噪声、光强衰减大于120dB 具有NRTL,CE, Semi S2等认证 |
TS-412-14P | ATT高低温控制系统 | 温度控制精确度：±0.1摄氏度；晶片载台温度均匀度小于1%；升降温速度：-60℃到25℃≤7 min；25℃到300℃≤30 min；300℃到25℃≤18 min；25℃到-60℃≤18 min |
SP-Inf | 直流至110G探针模组 | 系统可满足高达110GHz频率范围的双端口器件和四端口差分器件芯片测试要求，并能够实现与指定的扩频模块很好的搭载和测量；可做四端口直流测试 |
Velox | 探针台控制软件 | 实现通过软件对晶片载台X, Y, Z, Theta 四个方向的移动全程控制。设备控制软件可以提供自动晶片水平校准，自动器件尺寸测量，自动移动误差补偿，远程控制等自动化功能 |
eVue III | 显微镜 | 高稳定支架的显微镜结构，显微镜移动范围：2 英寸 X 2 英寸；放大倍率 50 倍到1000 倍连续可变；机台控制器，Window 7操作系统，内置影像截取卡用于显示显微镜图像 |
4）.噪声系数分析仪N8976B
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