服务详情
功率器件（IGBT、MOSFET）真空氮气烘箱老化测试服务
￥面议
周期：3-5个工作日
设备：真空氮气烘箱
随着电动汽车、轨道交通、电网、工业设备的发展，大量的功率器件被采用，对可靠性的要求也不断提高，在功率器件使用之前进行必要的前烘，一般IGBT、MOSFET烘烤是在氮气环境下升温至125度，保温一定时间，将封装中吸附的水气烘烤，按照24h或者96h进行，可以有效的降低器件封装内部吸附的水汽含量，同时有效剔除早期失效品，进行一定的筛选，对后期使用过程中不良品的产生有重要的作用
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样品要求
暂无
服务描述
技术参数
1）本试验箱内胆体积：长 600mm*宽 700mm*高 600mm
2）托盘尺寸：不锈钢网孔，长560mm*宽660mm*1.5mm，共10层，层间距
3）温度范围：室温~200℃，升温≤10℃/min
4）控温精度：<+10℃；温度均匀性<+20℃；（空载测试）
5）真空度：133 Pa
6）氮气：自动充氮气
注意
1. 在测试前准备好放静电手套
2. 在取样之前提前备好真空袋和包装机
3. 每箱容纳样品数量，对于标准IGBT芯片（4cm*1.5cm*5mm），一个托盘600颗
收费标准
1 . 按照炉*12h为一个单元，3000/单元
2. 按照器件数量*12h为一个单元，每颗0.5元/颗/12h
案列展示
暂无