服务详情
功率器件(IGBT、MOSFET)真空氮气烘箱老化测试服务
¥面议
周期:3-5个工作日
设备:真空氮气烘箱
随着电动汽车、轨道交通、电网、工业设备的发展,大量的功率器件被采用,对可靠性的要求也不断提高,在功率器件使用之前进行必要的前烘,一般IGBT、MOSFET烘烤是在氮气环境下升温至125度,保温一定时间,将封装中吸附的水气烘烤,按照24h或者96h进行,可以有效的降低器件封装内部吸附的水汽含量,同时有效剔除早期失效品,进行一定的筛选,对后期使用过程中不良品的产生有重要的作用
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样品要求

暂无

服务描述

技术参数

1)本试验箱内胆体积:长 600mm*宽 700mm*高 600mm

2)托盘尺寸:不锈钢网孔,长560mm*宽660mm*1.5mm,共10层,层间距

3)温度范围:室温~200℃,升温≤10℃/min

4)控温精度:<+10℃;温度均匀性<+20℃;(空载测试)

5)真空度:133 Pa

6)氮气:自动充氮气

注意

1. 在测试前准备好放静电手套

2. 在取样之前提前备好真空袋和包装机

3. 每箱容纳样品数量,对于标准IGBT芯片(4cm*1.5cm*5mm),一个托盘600颗

收费标准

1 . 按照炉*12h为一个单元,3000/单元

2.  按照器件数量*12h为一个单元,每颗0.5元/颗/12h

案列展示

暂无