服务详情
金属有机化学气象沉积MOCVD 贵金属镀膜
￥面议
周期：10个工作日
设备：
专业沉积各种贵金属（铂、钯、钌、锇、铱、铑、金）薄膜
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样品要求
（1）膜层材料及衬底、样品大小
（2）膜层厚度、均匀性要求、衬底温度要求
（3）镀膜数量
服务描述
原理和仪器
MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方)H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。本设备专业沉积各种贵金属（铂、钯、钌、锇、铱、铑、金）薄膜。
配置参数：
案列展示
暂无