1.样品尺寸8*6mm,样品表面导电且平整,背面平整
2.样品尺寸10*10mm,样品表面导电且平整,背面平整
备注:不同型号设备,尺寸要求稍有差异;不同元素,不同深度,收费有差异;具体联系技术经理咨询
最小刻蚀步长:1-2nm
最小分析区域:50*50μm
部分设备能力展示
Cameca IMS 7f
1. 技术指标:
纵向分辨率:2-10nm
离子源:Cs离子及O离子
束斑及能量:30um及以上
质量比分辨率:>4000
杂质检测限:ppm-ppb级别
2. 擅长样品:
Si、GaN、SiGe、SiC、III-V 化合物(GaAs InP GaSb GaN) 以及II-VI (HgCdTe)块体及半导体薄膜材料微量掺杂元素的深度剖析
3. 定量分析:
Si基(P、B、C、H、O等)
GaN基(Mg、Si、C、H、O等)
......
4.应用范围:
掺杂和杂质深度分析
薄膜的组成和杂质的测量(金属、介电质、Si、III-V和II-VI材料)
浅注入和超薄膜的超高分辨率深度分析
块材分析,包括Si中的B C O和 N元素
芯片分析,芯片结构及杂质元素定性定量分析,包括LED芯片、功率器件、氧化镓等半导体芯片
5.离子源选取