提供基片类型和尺寸；光刻胶图形结构、种类和厚度；去胶液种类；数量等

一.服务产品简介

喷淋去胶：在完成上一步刻蚀或者光刻后，利用喷淋去胶设备，将去胶液喷淋到旋转的晶圆表面，从而达到对光刻胶有效的去除的工艺过程，整个工艺包括了工艺参数调试、装片、预浸泡、喷淋去胶液、去离子水冲洗、氮气吹干等过程，特别适合MEMS、红外光电等芯片工艺中用到PI、底部填充等环节中的去胶工艺，具有高选择性、去除效率高的优点，是目前传统浸泡去胶的一个有效补充，可以解决传统浸泡去胶不能解决的问题。

二、技术参数：

厂家：江苏镭博 

型号：CL200、CL100

装片：8吋及以下

固定：卡爪+静电吸附

转速：20～5000rpm

清洗：3路，1路DI水、1路清洗液、1路氮气

清洗液：10L压力罐，具有液位监控系统

自动摆臂：1个，扇形喷淋头，锥形DI水喷淋头

清洗方式：自动清洗

                             CL200/清洗腔示意图

三、服务特色

1、可实现手动/半自动/全自动（片盒到片盒）清洗基片尺寸【8英寸以下兼容】

2、采用自动摆臂，扇形喷淋头，清洗效率高

3、灵活代工，1片即可提供服务