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全反射X射线荧光光谱分析TXRF
¥面议
周期:5个工作日
设备:TREX 610T
表面元素定性定量分析
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样品要求

(1)可以测定8寸及以下晶圆,适用抛光片硅片、SiC、InP、GaAs等

(2)元素分析范围(Na~U)

(3)1E9原子/cm² 检测限

(4)为后续分析从缺陷检测工具倒入测量坐标

服务描述

技术指标

1)可以测定8寸及以下晶圆,适用抛光片硅片、SiC、InP、GaAs等

2)元素分析范围(Na~U)

3)检测限:1E9原子/cm²

4为后续分析从缺陷检测工具倒入测量坐标

Table1:TXRF仪器针对元素的检测种类及探测极限

 元素

LLD

元素

LLD

元素

LLD

  使用W靶X射线光源探测

使用Mo靶X射线光源

S

80

Fe

3.2

Br

8.0

Cl

40

Ni

2.0

Au

13

K

20

Cu

1.8

Ga

26

Ca

16

Zn

1.5

As

13

Ti

10

Pd

130

Pb

8.0

Cr

5.0

Sn

70

Ta

26

Ba

50



W

22





Pt

16

        最低检测限值为LLD*1E9 at/cm3,同时针对不同靶材可以探测不同元素

 

3. 测试标准:

  硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法GB/T24578-2015

 

4. 收费情况:

 1)按照3个点的位置坐标(1个中心+中心两侧的直径上2点),价格3500/片;

 2)按照5个点的位置坐标(1个中心+中心两侧的相互垂直直径上4点),价格5000/片;

 3)根据测试的元素不同,需要选择W靶或者Mo靶,两种靶材都用则按标准价格*2倍。

案列展示

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