未收藏
III-V族ICP刻蚀机
System 100
III-V族ICP刻蚀机 System 100 Oxford
技术参数:
功能特色:
刻蚀多种化合物及多元化合物;二氧化硅刻蚀选择比:4:1~10:1;侧壁与底面夹角:>85°
样品要求:
应用领域:
半导体微纳加工
收费标准:
价格 面议
为您推荐
1G带宽示波器
MSO4104B
大功率半导体管特性图示仪
XJ4832
扫描电镜:形貌分析+能谱(米格)
SIRIONXL 30 FEG
同步热分析仪STA
TGA/DSC3/SF1100
免费咨询
我要使用