未收藏
III-V族ICP刻蚀机
System 100
III-V族ICP刻蚀机 System 100 Oxford
技术参数:
功能特色:
刻蚀多种化合物及多元化合物;二氧化硅刻蚀选择比:4:1~10:1;侧壁与底面夹角:>85°
样品要求:
应用领域:
半导体微纳加工
收费标准:
价格 面议
为您推荐
TRPL(时间分辨光谱)
FLS920
光刻系统
MA6/BA6
扫描进场光学显微镜
透射电镜:形貌分析(米格)
Tecnai G2 20 S-TWIN
免费咨询
我要使用