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氧化硅ICP刻蚀机 Multiplex AOE STS

技术参数：
功能特色：
介质膜刻蚀速率：＞2500A/min；选择比：光刻胶＞4:1；多晶硅＞15:1；均匀性和重复性：＜±5%；侧壁与底面夹角：＞88°
样品要求：
应用领域：
半导体微纳加工
收费标准：
价格   面议

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