紫外曝光机 MA6 德国Karl Süss 公司
- 技术参数：
- 曝光光源：UV1000 光源波长：365nm 光源均匀性：<3.1% 晶片尺寸：2-6 英寸 接触方式：真空，低真空接触, 硬接触， 软接触和接近式接触 对准模式：正和背面两种对准方式 最小线宽：0.5 μm 对准精度: 0.5 μm
- 功能特色：
- 采用紫外光源，制作亚微米(最小线宽0.5 μm)的图形。可用于各种微器件的制 作和低维人工结构的形成，如制作下列器件结构：微电子器件，光电子器件，生 物传感器，微机电系统，超导电子学器件，磁电子学器件等，也是研究材料在低 维度、小尺寸下量子行为的重要辅助工具。
- 样品要求：
- 晶片尺寸：2-6 英寸 最小线宽：0.5 μm 对准精度: 0.5 μm
- 应用领域：
- 广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领。
- 收费标准：
- 价格 面议
