高真空磁控溅射薄膜生长平台 未知 未知
- 技术参数：
- 样品尺寸：2英寸（向下兼容） 每炉数量：6 - 8片 温度范围：室温到900℃ 镀膜种类：Pt、Au、Al、Ag、SiO2、FeNi、TiO2、Co、MnGe等 靶材尺寸：2英寸 靶位数量：3 镀膜速率：0.2 - 0.3纳米/秒 均匀性指标：≤±5% 最大厚度： ≤ 1微米 1. 沉积室系统背底真空度：≤ 2x10-6 Pa； 2. 三个靶可共同折向上面的样品中心，靶与样品距离90～130mm可调， 程序控制调整可调，程序控制调整； 3. 基片可加热，炉温900℃； 4.样品在各真空室之间全自动样品交接，程序控制； 5. 系统由触摸屏和PLC实现对整个系统的控制，有自动和手动控制两种功能； 6. 可沉积2英寸基片，目前有Pt、Au、Al、Ag、SiO2、FeNi、TiO2、Co、MnGe等各种靶材。
- 功能特色：
- 样品要求：
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每炉数量：6 - 8片
温度范围：室温到900℃
镀膜种类：Pt、Au、Al、Ag、SiO2、FeNi、TiO2、Co、MnGe等
靶材尺寸：2英寸
- 应用领域：
- 收费标准：
- 价格 面议
