传输线脉冲发生器(普通) HOXI-I 中科院微电子所

技术参数:
脉冲宽度:1ns,2.5ns,5ns,7.5ns;10ns-200ns,step=2ns;上升沿:0.1ns,0.2ns,0.5s,1ns,1.5ns,2ns,5ns,10ns;最大电压:1000V;特征阻抗:50Ω;测试形式:自动;
功能特色:
用方波模拟已知各种 ESD 模式,包括 CDM、MM、HBM、空间深层充电等。通过该设备,可测试各种静电模式下器件的 ESDIV 曲线,提供 ESD 全局保护结构模拟所需参数。
样品要求:
应用领域:
集成电路;电子器件;
收费标准:
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