近日，宁波杭州湾新区与中国电子信息产业集团有限公司全资子公司——华大半导体有限公司完成宽禁带半导体材料项目签约，为“名城名湾”建设再添“芯”动能。

据宁波杭州湾新区发布指出，该项目系浙江省首个第三代半导体材料项目，项目总投资10.5亿元，计划年产8万片4-6吋碳化硅衬底及外延片、碳化硅基氮化镓外延片，产品可广泛应用于5G通讯、新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域。

华大宽禁带半导体材料项目专注半导体制造过程的前端工序——半导体材料，而且还是属于时下发展大热门的第三代半导体材料。

第三代半导体材料即以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，已成为半导体技术研究前沿和竞争焦点。碳化硅更被列入“中国制造2025”规划，是国家战略性新兴产业。

可以说，新时期集成电路产业发展背景下，该项目的签约对新区抢占下一代信息技术制高点具有较大发展意义。宽禁带半导体材料项目的“落子”，蕴含着新区完善集成电路全产业链，抢抓半导体材料技术迭代发展机遇的决心。

封面图片来源：拍信网

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