东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET

日前，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。

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新产品是东芝首款[1]采用紧凑型SOP Advance（WF）封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构，安装在电路板上时能够进行自动目视检查，从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗。