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米格实验室

 

为回报广大客户，针对大家需求量比较大，同时我们服务效率、质量各方面都比较好的一些项目推出特惠价格！敬请关注！ 特价期限：2017年1月1号~2017年3月15号

一、材料分析与表征类

1. 场发射扫描电镜 Hitachi S-4800
         

原价：600元/小时（包括形貌分析、EDS分析、喷金等）
特惠价格：400元/小时（包括形貌分析、EDS分析、喷金等） 

（1） 技术指标：
二次电子分辨率: 1.4nm (1 kV，减速模式) 
加速电压: 0.5~30kV(0.1KV/步，可变)
放大倍率: x 20~ x 800,000 
电子枪: 冷场发射电子源 
两种样品台可选：I型50mm x 50mm标准样品台
（2）应用领域：
应用于材料、半导体、矿物、石油、化工、能源、生物等领域。


2. 热场发射高分辨扫描电镜（NOVA NanoSEM 430）


原价：500元/小时（形貌分析、能谱及喷金等）
特惠价格：400元/小时（形貌分析、能谱及喷金等）

（1）主要技术指标
超高的分辨率：≤1.0 nm @ 15 kV； ≤1.6 nm@ 1.0 kV；
大的观察范围：100 mm ×100 mm；
大的样品台倾角：-5° ~ + 70°；
快速准确的能谱仪(EDS)；
超大面积电制冷硅飘逸探测器；
能谱分辨率：≦129 eV。
（2）主要功能
具备超高分辨率，可以获得纳米尺寸级别样品的表面形貌信息；可在高真空下实现高压和低压的超高分辨率形貌检测；可在低真空下对非导电导电样品超高分辨率形貌信息检测；具备优秀的样品位置导航系统，可对最大直径为100mm片状样品进行大范围移动、倾转；可以进行快速的EDX能谱分析。
（3）样品要求
通常为经过干燥处理的、无油污的、导电的、非磁性的固体材料。


3. 场发射透射电子显微镜 FEI Tecnai G2 F20
    

原价：900元/小时
特惠价格：500元/小时  

（1）仪器参数：
加速电压：200 kV
高分辨极靴 (S-TWIN)
点分辨率：0.24 nm；线分辨率：0.14 nm
STEM (HAADF)分辨率：0.19 nm
电子束能量色散：<0.7eV
最大束流：>100nA；1nm束斑最大束流：>0.5 nA
样品最大倾斜角：~40度
EELS (Gatan Enfina)能量分辨率：0.7 eV
EDAX能谱仪 (EDS)：5B~92 U；能量分辨率：~130 eV (Mn~ K线)
（2）应用领域：
材料、半导体、矿物、石油、化工、纳米、能源等


4. 离子减薄仪 Gantan 691（透射样品减薄）


原价：200元/小时   
特惠价格：100元/小时  

（1）设备参数：
双离子枪；
减薄角度-10°~+10°；
离子束能量100eV~6.0KeV
样品尺寸3mm或2.3mm；
旋转速度1rpm~6rpm；
（2）应用领域：
主要用于制备TEM样品，适用于金属和合金、陶瓷、半导体、复合物等材料。


5. 聚焦离子束（FIB） FEIHelios Nanolab 600 i


原价：7000/样品（常规样品）
特惠价格：5000/样（常规样品）
  
（1）主要性能和指标：
      场发射电子枪，电子束加速电压：350 V - 30 kV；Ga离子枪，离子束加速电压：500 V – 30 kV；分辨率：0.8 nm (@30kV, STEM)，0.9 nm (@15kV, SE), 1.4 nm (@1kV, SE)；配备Pt气体沉积源；安装Auto Slice&View软件可以实现自动化离子束切割成像。
（2）服务范围：
常规样品：半导体（Si、InP、GaAs等）、金属及合金、陶瓷等透射样品的切割。非常规样品：金刚石、蓝宝石、超硬金属及纳米颗粒的透射样品的切割。
（3）结果展示：


6. 原子力显微镜 Vecco D3100


原价：500/小时
特惠价格：300元/小时

（1）技术参数：
横向分辨率：0.1nm;
纵向分辨率：0.05nm;样品台： 4寸
（2） 应用领域：
可以对物体表面进行多种分析测量，如三维轮廓形貌、粗糙度、表面粘性、粒度、颗粒分布等。测试需要，仪器垂直台阶误差小于5%；水平方向误差小于10%。


7. 粉末X射线衍射仪 XRD 6100型（粉末样品物相分析）

     
原价：150/样
特惠价格：100元/样 

（1）技术参数：
高精度角度重现性（±0.0001°）、高速运转（1000°/min）及的垂直型测角仪，可进行各种样品的测定。3~130度扫描范围，Theta-2Theta扫描方式；
（2）应用需求：
配备高精度垂直型测角仪，适用于粉末、薄膜、难于固定的样品、易溶样品等各种样品的测定。


8. 高分辨X射线衍射仪-DXRDBede D1 （擅长各种外延膜分析）


原价：500/样
特惠价格：200元/样 

（1）技术参数：
范围与分辨率：
2Theta：-100-130度，0.00005度；
omega：-45-210度，0.00005度；
Chi：-20-90度，0.003度；
phii：>正负360度，0.004度
（2）应用领域：
近完整晶体完整性测试； 
各种低微半导体异质节的结晶质量和结构参数的测量；
第三代半导体材料结晶完整性研究；
晶格应变分析；
RSM，晶片mapping和极图；
反射率分析。


9. 热重&差热分析 TGA/DSC3/SF1100
      制  造  商：瑞士梅特勒托利多公司


原价：200元/样（常规测试）
特惠价格：100元/样（常规测试）  
慢升温或等温样品或特殊条件视实际情况协商。

（1） 技术指标：
测试温度范围 室温 ～ 1000 ℃
升温速率 0.1～150 ℃ /min
样品用量≥ 5mg(一般5-10mg)
天平灵敏度：0.1ug
温度准确性 +/-0.25K
温度精度 ± 0.02K
量热灵敏度 0.04 μW
量热精度 0.1 %
反应气氛：氮气、空气、氩气等气氛
（2）样品要求：
块状固体、粉末、纤维等，块状直径小于4mm，粉末尽可能磨碎，纤维建议剪碎；
测试用量5-20mg，建议送样量不少于30mg；
不适合样品：
具有或含有强腐蚀性物质样品；
受热剧烈膨胀样品；
受热反应剧烈样品（如炸药、含能材料等）；
其他高含硫、含氮材料。
（3）应用领域：
广泛应用于无机材料、金属材料、有机材料、药品、催化剂、塑料、橡胶、涂料等领域的研发、工艺优化、质量监控等，具体如下：
组分定量分析(如灰份、水分及挥发物含量等) 
结晶温度、熔融温度等 
热稳定性 
氧化稳定性 
材料或药品水分
产品寿命和半衰期
抗氧化能力
测试反应焓值、相态转变焓值

同步热分析是一种联用热重分析仪(TGA)和差示扫描量热仪（DSC）的热分析技术。可在测量材料随温度或时间变化时其重量变化及变化速率的同时，测量试样相对于参比物的热流速随温度的变化。对材料与失重或增重有关的化学、物理变化进行定量及定性分析，预测材料的热稳定性。

        
二、微纳加工类


10. 光刻掩模版制作

         2.5英寸：600 元/块       
         3.0英寸：800  元/块
         4.0英寸：1000 元/块
         5.0英寸：1500 元/块
         6.0英寸：2500 元/块
         7.0英寸：3500 元/块
         8.0英寸：4000 元/块

（1）技术指标：
材质：苏打玻璃、石英版
线条：2 um及以上
尺寸：2.5、3、4、5、6、7、8寸版图
（2）应用领域：
广泛应用于塑料、橡胶、涂料、药品、催化剂、无机材料、金属材料与复合材料等各领域的研究开发、工艺优化与质量监控。


11. 磁控溅射镀膜机（ACS-4000-C4)


原价：800元/小时，镀制各种铝、铜、银、钼等薄膜！
特惠价格：500元/小时，镀制各种铝、铜、银、钼等薄膜！

（1）主要技术指标
1、溅射薄膜均匀度：5%；
2、Deposition Chamber压强：4.4×10-6Pa；
3、Preparation chamber压强：6.7×10-4Pa；
4、基片旋转：3-100rpm；
5、基片加热温度：Maximum 500℃；
6、四靶可以同时溅射；
7、可进行氮化物与氧化物的反应溅射；
8、基片最大尺寸为4"。

（2）主要功能
磁控溅射仪配备有四个独立、可自动匹配的射频电源，最大功率200W，可制备各种金属与非金属薄膜材料，并可实现多靶共溅射制备合金薄膜；配有氧气、氮气两路反应气体，可进行反应溅射制备氧化物和氮化物薄膜材料。
样品要求：小于4英寸。

12. 磁控溅射真空镀膜机（Lesker PVD75)

原价：800元/小时，镀制各种铝、铜、银、钼等薄膜！
特惠价格：500元/小时，镀制各种铝、铜、银、钼等薄膜！

（1）主要技术指标
系统的极限压强可达≤2x10-7Torr； 
3台溅射靶枪，靶材尺寸为2英寸；
靶枪具有折弯功能，调节范围为正负45度；
样品台最大转速不小于20转/分钟，转速可调；
衬底加热温度不低于350摄氏度。控温精度为+/-1度；
4英寸范围内薄膜非均匀性优于+/-5%；
基片托可自动传递直径最大为4英寸基片。
（2）主要功能
磁控溅射仪配备有四个独立、可自动匹配的射频电源，最大功率200W，可制备各种金属与非金属薄膜材料，并可实现多靶共溅射制备合金薄膜；配有氧气、氮气两路反应气体，可进行反应溅射制备氧化物和氮化物薄膜材料。
（3）样品要求：小于4英寸。


13. 反应等离子体刻蚀机（ETCHLAB 200）


原价：700元/小时，刻蚀各种刻蚀Si、SiO2、SiNx、金属等材料
特惠价格：400元/小时，刻蚀各种刻蚀Si、SiO2、SiNx、金属等材料 

（1）主要技术指标：
配置5路工艺气体：CF4、CHF3、Ar、O2、SF6；
可是选择比大于3：1；
刻蚀不均匀小于3%；
本体真空＜10-5mbar；
射频电源功率600W；
可加工最大晶圆尺寸为8英寸。
（2）主要功能：
该设备采用计算机程序控制，工艺过程可以通过程序设定，自动完成复杂工艺，可以刻蚀Si、SiO2、SiNx、金属等材料，SiO2刻蚀速率：175nm/min；Si3N4刻蚀速率：124nm/min。
（3）样品要求：小于4英寸。


14. 光谱椭偏仪（SE 850 DUV)


原价：500元/小时或者30/谱线（不额外收取机时费），附带有mapping等！
特惠价格：200元/小时或者30/谱线（不额外收取机时费），附带有mapping等！

（1）主要技术指标
光谱范围：190 ~ 2500 nm；
光谱分辨率：DUV-VIS: 优于 0.8 nm/pixel；
样品尺寸：可达 6 inches；
最大样品厚度：7 mm
样品形态：透明块体材料、单层或多层膜
测量时间：UV/VIS: 5 s, NIR: 30-120 s
光斑尺寸：0.1 mm to 4 mm。
Mapping载物台；
反射仪快速薄膜测量模块；
透射测量样品夹具；
液体池；
微细光斑镜头一套。
（2）主要功能
一种基于椭圆偏振光原理的非接触光学反射测量仪器。可测出样品的膜厚、折射率、消光系数、介电常数、反射率等光学参数,同时还可以分析样品的各向异性、表面/界面粗糙度、梯度渐变性等。
（3）样品要求
透明或部分透明的薄膜或位于基底上的薄膜，表面尽量光滑。

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