存储器大厂西数（Western Digital）24日宣布，成功开发出第5代3D NAND Flash的技术BiCS5，未来将持续提供业界最先进的快闪存储器技术，维持其领导地位。

西数指出，BiCS5采用3层单元（TLC）与4层单元（QLC）两种架构，能以极具吸引力的成本提供卓越的容量、效能与稳定性，满足因连网汽车、移动设备与人工智能而急速增长的资料量需求。目前，西数已开始生产512Gb的BiCS5 TLC，并预计在2020年下半年就能开始商业化量产，供应采用新技术的消费性产品。未来，BiCS5 TLC与BiCS5 QLC将提供包括1.33Tb等多样的储存容量选择。

西数进一步指出，随着下一个十年的到来，如何增加3D NAND Flash容量以满足庞大且快速增长的资料量需求是重要关键。藉由成功开发BiCS5，西数展现了领先业界的快闪存储器技术，及强大的计划执行力。西数利用更先进的多层储存通孔（multi-tier memory hole）技术来增加横向储存密度，同时透过增加储存层让3D NAND Flash技术的容量与效能显著提升，以满足客户对稳定性与低成本的期望。

采用多种新技术与创新制造工艺的BiCS5是西数目前密度最高、最先进的3D NAND Flash技术。第二代多层储存通孔技术、优化的工程设计流程及其他先进的3D NAND Flash储存单元技术大幅提升了晶圆的横向储存单元阵列密度。此外，BiCS5拥有112层垂直堆叠的储存容量，使每晶圆的储存容量比96层的BiCS4高出40%，可达到最佳成本。新架构设计也为BiCS5挹注更高效能，使其I/O效能较BiCS4提高50%。

西数最后强调，BiCS5是由西数与技术制造合作伙伴Kioxia共同开发，将于日本三重县四日市及岩手县北上市的合资晶圆厂制造。

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