本文综合自:太平洋证券、中银国际证券、拓墣产业研究
随着技术的发展,终端设备对于半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高。特别是随着5G的即将到来,也进一步推动了以氮化镓(GaN)第三代半导体材料的快速发展。
一、什么是GaN?
GaN是极稳定的化合物,又是坚硬的高熔点材料,熔点约为1700℃,GaN具有高的电离度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下,GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。
▲典型的GaN工艺流程(资料来源:Qorvo,中银国际证券)
总体来说,RF GaN领域方面,依然是被美国和日本公司主导。
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