科研人员研发出黑磷晶体管 功耗可降低上万倍
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据报道，韩国KAIST大学物理系的科研人员开发出可控厚度的黑磷隧道场效应晶体管（TFET），相对传统半导体（CMOS）晶体管，该晶体管的功耗低10倍，待机功耗低10000倍。该研究小组表示，他们研发的黑磷TFET实现了创纪录的高通态电流，这使得TFET能够以比传统CMOS晶体管更高的速度运行，并且功耗更低。
本文封面图来源于图虫创意
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