4月10日，浙江博方嘉芯集成电路科技有限公司氮化镓射频及功率器件项目正式开工。

该项目于2019年11月7日签约落地，总投资25亿元，占地111.35亩，总建筑面积约8.9万平方米，项目分两期实施，其中一期建筑面积约5万平方米，建设6吋（兼容4吋）晶圆氮化镓（GaN）芯片生产线，设计月产能为1000片。

二期建筑面积约3.9万平方米，建设6吋（兼容4吋）GaN芯片生产线和外延片生产线，设计月产能为3000片GaN射频芯片、月产能20000片GaN功率芯片。项目全部达产后可实现年销售30亿元以上，年税收6600万元以上。

据施工方项目相关负责人表示，项目在今年3月30号动工以后，施工方进行了场地平整、放线定位等工作，今天进入到桩基开工阶段。第一期工程建设周期是16个月，到明年7月1日完工。

据了解，氮化镓属于第三代高大禁带宽度的半导体材料，具有高工作频率、电子迁移速率、抗天然辐射及耗电量小等特性，能够广泛运用于5G通讯基站、智能移动终端、物联网、军工航天、数据中心、通信设备、智能电网及太阳能逆变器等领域。

现阶段，氮化镓属于紧缺的芯片资源，国内90%的需求量都依赖进口，急需国内生产出替代产品。据读嘉新闻指出，博方嘉芯氮化镓射频及功率器件项目建设不仅对嘉兴科技城、南湖区数字经济发展意义重大，对“中国芯”打造也提供强劲助力。

封面图片来源：南湖发布