第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2019）于2019年7月18日在北京成功召开。本届会议共吸引了十余个国家和地区的550余人参加，共作报告近80场次。

    同时在会议筹备期间，我们还收到了许多来自世界各自学者、专家的文章投稿，内容紧紧围绕碳化硅及相关材料的“生长与外延技术”、“器件及测试分析技术”、“器件封装模块、系统解决方案及应用”等领域。经过审稿人的认真审阅、投稿人修改、杂志社编辑整理，最终制作完成APCSCRM2019会议特刊（Journal of Crystal Growth）。会议特刊共收录文章27篇，反映了宽禁带半导体领域的最新进展。现在大家可以在文末点击“阅读原文”，阅读特刊文章，掌握宽禁带半导体最前沿的研究进展！

   >> 关 于 杂 志<<

    《Journal of Crystal Growth》 是本次会议的合作期刊之一，该期刊为从事晶体生长及其应用的实验和理论研究的工作者提供了一个共同的参考和出版来源。实验和理论贡献发表在以下领域:成核和生长理论、分子动力学和传递现象、聚合物和玻璃等粘性介质的结晶;金属、矿物、半导体、超导体、磁学、无机、有机和生物物质的晶体生长;分子束外延、化学气相沉积、III-V、II-VI等半导体的生长;用物理和化学方法表征单晶;晶体生长的设备、仪器和技术;纯化方法;多层异质结构及其表征，强调电子材料的晶体生长和外延。本期刊的一个突出特点是定期将有关晶体生长相关方面的研讨会和会议记录收集入刊。