Wolfspeed 新型 650V 系列碳化硅 MOSFET 为高效率和高功率密度解决方案提供业界领先的低导通电阻和开关损耗

优化设计，满足当今高功率应用的要求

Cree 旗下公司Wolfspeed于近期宣布推出新型15-mΩ和60-mΩ 650V碳化硅 MOSFET，采用最新C3M™碳化硅技术，为高效率和高功率密度解决方案提供业界领先的低导通电阻和开关损耗。尽管当今应用对效率和性能的要求日益提高，但 Wolfspeed  650V碳化硅MOSFET有强大实力应对这一挑战。Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 系列的特点包括：

高效率

• 低开关损耗

• 低导通损耗

• 低反向恢复损耗

高功率密度

• 更轻重量

• 更小尺寸

• 更少元件数量

高效率

在升压转化器中，C3M0060065K与竞品的比较 

Wolfspeed 650V MOSFET同时实现低开关损耗和低导通损耗

业界领先性能：不同公司碳化硅方案比较

标准化导通电阻RDS(on) vs.温度

高功率密度

比之硅基方案，可实现高达70%功率密度提升

系统成本对比

在6.6kW双向充电机设计中降低总体系统成本

Wolfspeed 650V MOSFET与竞品技术比较

在性能方面，Wolfspeed 碳化硅出类拔萃。无论是与传统硅基方案、氮化镓 MOSFET，还是与竞争对手的碳化硅产品相比，Wolfspeed 都表现出色。

650V 碳化硅 vs. 硅

• 减少1/2导通损耗

• 降低40倍体二极管反向恢复电荷

• 减少75%开关损耗，支持在更高频率时实现更高效率

• 高达70%功率密度提升

• 优异的散热性能

650V碳化硅 vs. 硅基氮化镓

• 减少超过1/2导通损耗

• 行业标准封装

• 稳固的栅极驱动

• 久经现场检验的可靠性

• 雪崩能力

Wolfspeed 650V碳化硅 vs. 竞品碳化硅

• 在工作温度范围内更小的导通电阻增加

• 低输出电容

• 高开关频率

• 易于驱动

650V MOSFET应用

Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 是为满足当今前沿技术的需求而打造。从电动汽车车载充电机（OBC），到不间断电源（UPS）和微型逆变器等，Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 都足够耐用、足够可靠、足够强大，适用于各种应用：

• 工业开关模式电源（SMPS）

• 数据中心

• 通讯电源

• 车载充电机（OBC）

• 不间断电源（UPS）

• 储能系统（ESS）

• 太阳能光伏逆变器

产品和参考设计方案

参考设计

研究Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET及其配套和参考设计，更多了解Wolfspeed碳化硅MOSFET技术如何帮助您开发更出色的产品，满足当今现代器件的要求。

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