本服务着重解决企业在SiC单晶生产、外延生长、芯片加工中的原材料品控、单晶生长质量测试、科研项目验收过程中遇到的检测分析的需求。通过服务能够帮着客户一站式、全参数、低成本、高效率的实现产品的快速检测。同时对于高端的一些检测项目，平台也可以根据客户需求定制检测方法、标准和方案。具体服务内容包含：电阻率、参考面取向和位置、参考面长度、晶型确定、微管密度、结晶质量、六方空洞和裂纹、位错密度、多型及体杂质含量。

本产品专门针对SiC单晶进行开发的测试解决方案，具有一站式覆盖、全参数测量、低成本、高效率，能够满足客户对质量、交期、价格的综合要求，其他同行相对比较单一、服务周期长、价格成本高。另外通过测试评价能够给出系统的参数指标的优化和整改意见，平台SiC方面的专家资源优势可以帮助企业解决具体技术问题和指导工作。

1）晶体完整性：微管密度、结晶质量、六方空洞和裂纹、位错密度、多型；

2）晶型：晶型确定；

3）杂质：体杂质含量；

4）电学测试：电阻率。

天科合达、中科钢研、世纪金光、天域半导体、中科晶电、北京航空航天大学、中科院物理所等共计30多家单位的50次检测。

应用于衬底生产、外延生长、芯片加工中的原材料品控、单晶生长质量测试等领域。利用众多单晶材料检测设备为企业提供完善的测试分析服务。

（1）.光学表面分析仪是针对SiC单晶片与外延片行业的表面缺陷的检查分析仪器。

（2）.平整度测试仪用来测试TTV、TIR、LTV、BOW、WARP等晶片面型参数。

（3）.原子力显微镜用来测量样品表面的粗糙度。

（4）.偏光显微镜用来测量样品表面缺陷。

（5）.HORIBA公司的拉曼光谱仪用来绘制单晶材料晶型分布图。