各有关单位:
为追踪行业前沿,探讨宽禁带半导体检测技术的发展趋势和热点问题,促进行业内技术交流,由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟主办,米格实验室、中国科学院物理研究所、北京天科合达半导体股份有限公司联合承办的“宽禁带半导体检测技术研讨会暨宽禁带半导体检测加工共享平台发布会”将于2017年7月14日在北京召开。届时将邀请宽禁带半导体领域专家作有关检测技术的专题报告,并发布正式启动宽禁带半导体检测加工平台,旨在提升中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟为会员单位提供检测分析与制备加工等方面的服务能力。
具体内容安排如下:
一、时间地点
会议时间:2017年7月14日(周五) 13:30 ~ 17:30
会议地点:中国科学院物理研究所D楼2层报告厅
(北京市海淀区中关村东路55号)
二、会议组织单位
主办单位:中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
承办单位:米格实验室、中国科学院物理研究所、北京天科合达半导体股份有限公司
支持单位:中国科学院半导体研究所、KLA-Tencor Candela Product Division、EAG上海实验室、北京循礼微电子有限公司、中国电子科技集团第13研究所
三、会议内容
时间 | 主题内容 | 主讲人 |
13:30~13:35 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟领导讲话 | 陆敏 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 秘书长 |
13:35~13:40 | 宽禁带半导体检测加工共享平台发布及授牌 | 陈小龙 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 理事长/中国科学院物理研究所 研究员 |
13:40~14:10 | 宽禁带半导体检测加工共享平台的建设与工作进展 | 闫方亮 米格实验室 总经理 |
14:10~14:40 | SiC外延生长与器件研究 | 张峰 中国科学院半导体研究所材料重点实验室 研究员 |
14:40~15:10 | SiC衬底材料的综合表征及检测标准的建立 | 刘振洲 北京天科合达半导体股份有限公司 主管 |
15:10~15:25 中间休息 | ||
15:25~15:55 | SiC缺陷自动光学检测与分析 | 蔡晓林 KLA-Tencor Candela Product Division 高级工程师 |
15:55~16:25 | 从SiC原材料到SiC器件的SIMS分析 | 刘红艳 EAG上海实验室 总经理 |
16:25~16:55 | 宽禁带半导体器件动态参数的分析与测试 | 梁闻 北京循礼微电子有限公司 总经理 |
16:55~17:25 | 宽禁带GaN材料与器件 | 敦少博 中国电子科技集团第13研究所专用集成电路重点实验室 博士 |
17:25~17:30 | 合影留念 | 全体人员 |
四、费用
本次会议不收取任何费用,会议期间食宿交通费用自理。
五、联系方式
联系人:中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟秘书处 陈海芹
电 话:010-59944178-637
手 机:15201452760
联系人:米格实验室 闫方亮
手 机:18518552906
六、会议报名
请各单位于2017年7月10日前将参会人员回执发送至mishuchu@iawbs.com。
附件:参会回执.docx
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟秘书处
2017年6月28日