【涨价】难挡晶圆代工涨价潮，芯片厂商利润受压缩；
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1.硅晶圆涨价趋势仍将延续，晶圆代工厂毛利率恐受影响；
2.难挡晶圆代工涨价潮，芯片厂商利润受压缩；
3.3D NAND市场“战火”不断，140层还会远吗？
4.中国不满DRAM涨太凶，传代陆厂向三星、SK海力士杀价；
5.DRAM/NAND存储器需求持续增温 南亚科、旺宏业绩看好；
6.半导体设备需求旺 京鼎昆山厂添购设备扩充产能；
7.人工智能商机 2030达15.7万亿美元；
1.硅晶圆涨价趋势仍将延续，晶圆代工厂毛利率恐受影响；
集微网综合报道，过去10年，半导体硅晶圆因供过于求，使得价格不断走跌。但从2017年初起，情势出现大反转，供不应求推升硅晶圆的报价逐季飙涨。展望未来，随着三星等国际晶圆大厂产能持续扩充，以及长江存储等大陆厂商将在2019年上半年陆续量产，硅晶圆报价呈现续涨走势，硅晶圆厂商的订单已延续至2020年。
据了解，2017年初起硅晶圆供不应求，推升整体报价涨幅约达20%。而硅晶圆涨价的主要原因体现在两个方面，一方面是车联网、物联网、存储、AI和比特币等应用的爆发，推升半导体需求大增；另一方面是全球前五大厂商并未有扩充产能的计划，使得硅晶圆市况由生产过剩转为供不应求，带动报价大幅走高。
值得注意的是，受到硅晶圆逐季涨价冲击，晶圆代工厂的毛利率将受到影响。其中，台积电先前曾表示，因已签定年度合约，2017年受硅晶圆涨价影响较小，约影响毛利率0.2个百分点，但2018年价格续涨，影响可能扩大至0.5~1个百分点。市场预期，一线大厂因签年度长约，目前涨价影响较小，但2019年重新议价后，毛利率减损恐会扩大，而二线厂GlobalFoundries、世界先进、联电、中芯，以及大陆长江存储等多家厂商受创程度恐超乎预期。
大陆地区新建晶圆厂将带动硅晶圆需求大增
目前在半导体硅晶圆市场，国外巨头占据了主要的市场份额。其中，包括日本信越半导体、日本胜高(SUMCO)、台环球晶、德国Silitronic和南韩乐金(LG)在内的全球前五大厂商占据了硅晶圆 90% 的市场份额。
图片来源：招商证券
全球第二大硅晶圆厂商日本胜高(SUMCO)此前表示，在12英寸硅晶圆的部分，预估2018年价格将如预期回升约20%(2018年Q4价格将较2016年Q4高出40%)，且预估2019年价格将持续回升，当前顾客关心的重点在于确保能取得所需的数量，且已开始就2021年以后的契约进行协商。
在8英寸的部分，供应量增加有限，今后恐长期呈现供需紧绷状态，顾客对于采购8英寸硅晶圆的危机感更胜于12英寸产品；在6英寸的部分，当前供应不足情况显现，价格虽回升，不过中长期前景不明。
值得一提的是，受惠于硅晶圆不断涨价趋势，SUMCO入股的台胜科的业绩表现十分亮眼。据了解，台胜科成立于1995年，由台塑与SUMCO合资成立，持股分别为38%、46.95%，主要生产8英寸及12英寸硅晶圆，分别占营收比重为40%、60%，客户群为晶圆代工厂及存储器厂。
在台胜科近日举办的法说会上，副总经理赵荣祥表示，目前台胜科12英寸月产能为28万片，8英寸月产能32万片，硅晶圆需求持续畅旺，台胜科会全力提高生产效率去瓶颈化，估计2018年报价会有两位数的成长，供需吃紧状况会至2020年，价格也会一路上涨。
赵荣祥进一步指出，台胜科订单能见度已至2020年，主要动能来自大陆地区新建的晶圆厂产能将开出，带动硅晶圆需求大增，预估2017~2020年的需求量将大增1.35倍；存储器厂方面，目前正在进行扩建的包括：海力士在无锡约扩建15万片月产能、三星则在西安扩增10万片的月产能、而合肥的睿力也将有新产能开出。
此外，福建晋华和武汉长江存储虽然进度较预期慢，但受到中美贸易战冲击，大陆地区加快半导体发展，福建晋华和长江存储已加速投产脚步，未来月产能约4,000~5,000片，持续朝1万片迈进。
国内12英寸、8英寸硅片产能现状
硅片是晶圆厂最重要的上游原材料。可以说，上游晶圆硅片材料受制于人，对迅速发展集成电路全产业的中国大陆来说也成为产业发展的桎梏。
据招商证券报告显示，在12英寸硅片方面，截止2017年11月，我国12英寸硅片需求量为45万片（包括三星西安、SK海力士无锡、英特尔大连、联芯厦门），随着晶合集成、台积电南京和格芯成都的陆续投产，加上紫光南京、长鑫合肥、晋华集成三大存储芯片厂的建成，预估到2020年我国12英寸硅片月需求量为80-100万片。
图片来源：招商证券
目前我国12英寸硅片主要依赖进口，但规划中的月产能已经达到120万片，后续如均能顺利量产，可基本满足国内需求。
其中，中环股份（002129.SZ）于2017年10月13日和无锡市签署《战略合作协议》，共同在宜兴市建设集成电路用大硅片生产与制造项目。项目总投资约30亿美元，一期投资约15亿美元；上海新阳（300236.SZ）参股的上海新昇目前已经实现了挡片的批量供货，正片也有小批量样片实现销售，目前产能4-5万片/月，预计2018年产能可达10万片/月；重庆超硅的12英寸硅片开发进展也较为顺利。
而在8英寸硅片方面，截止至2016年底，我国具备8英寸硅片和外延片生产能力的公司合计月产能为23.3万片/月，实际产能利用率不足50%，2016年全年我国仅仅产出120万片8英寸硅片，只满足国内的10%的需求。从目前已经公布的产能来看，8英寸硅片月产能已经达到140万片，合计超过160万片，远远超过我国8英寸硅晶圆的月需求80万片的规模。
2.难挡晶圆代工涨价潮，芯片厂商利润受压缩；
集微网消息（文/小北）台积电向来看重与客户的合作关系，晶圆代工报价追求平稳。然而，在上游晶圆成本上涨及8/12英寸晶圆产能紧缺的情况下，台积电将进行晶圆代工价格上调。作为全球晶圆代工老大，代工价格向来缺乏讨价还价的空间。据悉，台积电8英寸晶圆产能短期内已无法满足客户需求；此外，台积电将于下半年导入苹果处理器订单，这将占据绝大多数台积电先进制程产能。
向台积电看齐，二线晶圆代工厂酝酿上调报价
今年，物联网、车用电子订单全面涌向8英寸晶圆厂，导致8英寸晶圆代工产能明显供不应求。台积电以外的二线晶圆代工同样遇到上游晶圆成本上涨、产能供不应求的情况，因此纷纷向台积电看齐，酝酿上调晶圆代工报价。
据悉，中国本土及台湾地区二线晶圆代工厂已正式向芯片客户下达2018下半年涨价通知。台湾IC设计公司透露，第3季度8英寸晶圆代工报价恐上涨20~30%，除了VIP客户外，多数芯片厂商只能接受涨价。
值得注意的是，二线晶圆代工厂为何集体推动本次价格上涨呢？因为在涨价潮中，二线晶圆代工厂的受益程度是高于台积电等一线晶圆代工厂的。这个可以从两个维度来解释，一方面，晶圆代工需求旺盛，部分订单不得不选择从一线晶圆代工厂向二线晶圆代工厂转移；另一方面，晶圆代工价格上涨幅度将高于原材料等上游成本上涨幅度，二线晶圆代工厂集体推动这次涨价，下游客户只能接受涨价。业内专家表示，联电、中芯及华虹将是本次晶圆代工涨价潮中的主要受惠者。
晶圆代工涨价，下游芯片厂商承压
按照往常经验，晶圆代工成本的上涨可顺势转移给下游芯片厂商，推动芯片涨价。然而，在这波涨价潮中，下游芯片厂商可能无法消化并吸收上游涨价带来的芯片涨价动能。
按照惯例，对于IC芯片公司而言，只要客户不要求每季度芯片价格下降5~10%，则上游成本增加带来压力，都是很容易吸收的。对于一线IC芯片公司，甚至可以采取顺势涨价的策略，将成本上涨转移到下游客户身上。
中国本土IC设计厂商与台湾地区IC设计厂商正在疯狂抢夺市场。若台湾IC设计厂商采取顺势涨价的策略，将成本上涨的压力转移给下游客户，很可能失去绝大多数大陆客户。因此，面对着这次上游成本涨价潮，台湾IC芯片公司很可能不采取涨价的策略，并对2018年第3季度毛利率展望持保守态度。
据台湾LCD驱动IC大厂透露，短期内8英寸晶圆代工产能明显不足，公司已选择采用12英寸晶圆代工，以缓解8英寸供应能力缺乏的情况，但由于12英寸晶圆代工价格要高出20~30%，因此将对公司毛利润产生一定影响，后续将视情况与下游客户沟通，希望可以将上涨的成本转移出去。
对于希望毛利润回归40%水平的联发科而言，同样面临上游晶圆代工成本上涨的压力。业内专家猜测，鉴于联发科与高通及展讯展开猛烈厮杀的情况，联发科很可能选择自身消化上游制造成本的增加，而非选择提高芯片价格的策略。（校对/小北）
3.3D NAND市场“战火”不断，140层还会远吗？
集微网消息（文/Aki），市场对于3D NAND的需求有多大，从这一市场的竞争激烈程度可见一斑！
2018年5月29日，援引韩国媒体报道，三星计划在2018年提升目前64层3D NAND产品的比重，并与今年年内在华城、平泽的工厂抢先量产96层3D NAND产品，甚至还计划抢先竞争对手，开始投入128层3D NAND的研发量产工作。
而三星的这一举动或将彻底的引燃本就“战火”不断的NAND Flash高层堆叠市场，美、日、韩等多国的内存大厂都将参战，市场竞争的激烈程度更是让人难以想象。
“战火”不断的3D NAND Flash
2017年下半年是各大厂商3D NAND争相量产的时期。
三星开始量产64层3D NAND，并利用新平泽工厂提高产量，美光推进64层3D NAND也非常顺利，东芝、西部数据也从2017下半年开始量产64层3D NAND。
与此同时，为了降低NAND Flash生产成本，提升产品的竞争力，美、日、韩等多国的内存大厂近期都在加速更高层堆叠以及QLC四比特单元存储产品的开发。
比如，全球NAND Flash第二大厂东芝已于2017年6月与西数同时宣布，采用BiCS4技术的96层3D NAND已完成研发。现在，随着东芝半导体事业出售案落下实锤，业内普遍认为，未来东芝将会在NAND Flash突飞猛进。
而美光与英特尔合作开发的NAND Flash产品，也在最近传出了96层3D NAND研发顺利的消息。
至于SK海力士，2017年7月，就已经开始大规模生产72层（第四代）3D NAND闪存芯片。虽然目前SK海力士在NAND Flash领域排名落后，但是SK海力士也决定在2018年完成96层3D NAND产品研发。
140层 3D NAND层数还会远吗
在近日举行的国际存储研讨会2018（IMW 2018）上，应用材料公司介绍了未来几年3D NAND的发展线路图。其中提到，预计到2020年，3D存储堆叠可以做到120层甚至更高，2021年可以达到140层以上，是目前主流64层的两倍还多。
目前，各家厂商都在3D NAND上加大力度研发，尽可能提升自己闪存的存储密度。
目前，各家厂商都在3D NAND上加大力度研发，尽可能提升自己闪存的存储密度。
正如之前所说，东芝及西数已计划在今年大规模生产新的96层BiCS4 储存芯片，三星也在发展QLC NAND 芯片，将会在第五代NAND技术实现96层这一目标。
3D NAND技术在现在广泛被使用，其设计与2D NAND 相反，储存器单元不在一个平面内，而是一个堆叠在另一层之上，以这种方式每颗芯片的储存容量可以显著增加，而不必增加芯片面积或者缩小单元，使用3D NAND可以实现更大的结构和单元间隙，这有利于增加产品的耐用性。
但是，3D NAND技术也意味着，增加存储空间就需要不断的增加堆叠层数。而层数的增加也意味着对工艺、材料的要求会提高，要想达到140层堆叠就必须使用新的基础材料。
而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小，以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm，层厚度大约70nm，48层的闪存堆栈厚度为3.5μm，层厚度减少到62nm，现在的64/72层闪存堆栈厚度大约4.5μm，每层厚度减少到60nm，而到了140+层，堆叠厚度将增至大约8微米，每对堆叠层则必须压缩到45-50nm，每升级一次堆栈厚度都会变成原来的1.8倍，而层厚度会变成原来的0.86倍。
随着3D NAND层数不断提高，其工艺难度可想而知！
QLC技术或将发力
事实上，降低单位容量生产成本的方式，还包括改善数据储存单元结构及控制器技术。
目前，存储单元的结构类型分为以下几种：SLC、MLC 、TLC 、QLC。
SLC单比特单元（每个Cell单元只储存1个数据），因为稳定，所以性能最好，寿命也最长（理论可擦写10W次），成本也最高，是最早的顶级颗粒。
MLC双比特单元（每个Cell单元储存2个数据），寿命（理论可擦写1W次）、成本在几种颗粒中算是均衡的。
TLC三比特单元（每个Cell单元储存3个数据），成本低，容量大，但寿命越来越短（理论可擦写1500次），是目前闪存颗粒中的最主流产品。
QLC四比特单元（每个Cell单元储存4个数据），成本更低，容量更大，但寿命更短（理论可擦写150次），想成为接替TLC的产品还急需解决很多问题。
不过，最近美光与英特尔已经率先采用QLC技术，生产容量高达1Tb、堆叠数为64层的3D NAND，目前该产品已用于SSD出货，美光与英特尔强调，此为业界首款高密度QLC NAND Flash。
而尽管三星已完成QLC技术研发，但三星可能基于战略考量，若是太快将其商用化，当前产品价格恐将往下调降，加上三星为NAND Flash与SSD市场领先者，并没有急于将QLC商用化的理由。至于东芝则表示，计划在96层3D NAND产品采用QLC技术。
未来NAND Flash产品若采用可储存4四比特单元的QLC技术，可望较TLC技术多储存约33%的数据量，不过，随着每一储存单元的储存数据量增加，寿命亦将跟着降低，为改善这方面的缺点，内存厂商还需要克服很多难题！
4.中国不满DRAM涨太凶，传代陆厂向三星、SK海力士杀价；
韩国两大存储器厂三星、SK海力士传被中国商务部旗下反垄断主管机关约谈，且被要求对中国科技厂调降存储器售价。
韩国媒体KoreaTimes.com报导，去年存储器价格飞涨不停，大幅侵蚀中国智能手机、PC厂的利润，中国政府要求三星与SK海力士降价显然为此而来。据统计，全球75%的DRAM供给掌握在三星、SK海力士的手里。
中国政府找韩国存储器双雄的碴，背后还有其它动机，推测应该与技术交叉授权有关。熟知内情的人士指出，尽管三星、SK海力士都在中国设厂，但产品采用的技术落后韩国厂至少两个世代，且极少交叉授权，这让中国感到不满，未来针对这方面应该还会有其它手段出台。
除三星与SK海力士之外，美国存储器厂美光最近也传被中国反垄断主管机关约谈，理由也与存储器价格有关。据DRAMeXchange统计，全球首季DRAM营收季增5.4%，再度改写历史新高。精实新闻
5.DRAM/NAND存储器需求持续增温 南亚科、旺宏业绩看好；
随物联网时代来临，数据中心、高速传输的5G受重视，研调单位指出，协助运算处理的DRAM与资讯储存的NAND Flash等需求也持续增温，南亚科（2408）日前表示，今年DRAM市场仍供不应求，带动存储器族群行情向上，旺宏（2337）在权证市场同受关注，昨（29）日登上成交金额之首。
南亚科昨日股价虽然收小黑，小跌0.4％，收在98.9元（新台币，后同），但获外资逆势敲进逾2,000张，颇有逢低承接意味。
南亚科今年首季每股盈余（EPS）达2.39元，随着DRAM市场仍持续供不应求，对今年整体营运表现胸有成竹，今年虽少了业外收益挹注，但南亚科认为，大环境有利于公司发展，仍有信心缴出好成绩。南亚科预期，受惠20纳米产出增加、产品稳定涨价，营收可望逐月走高至下一季，并将有机会改写新猷。
旺宏昨日股价小涨0.73％，以48.6元作收，成交量逾4.8万张，并获投信买超700余张。
旺宏持续为盘面热门个股，近一年来日成交量有万张以上水准，更曾一度突破21万张，交投火热非凡，也使旺宏成为权证市场宠儿；据券商统计与观察，近两周出现类似去年外资买盘介入权证市场的现象，旺宏即为其中大比例偏多操作之权证标的。
法人表示，据以往年经验，旺宏上半年常为营运淡季，为今年首 季税后纯益18.82亿元，年增翻逾8倍，EPS达1.06元，也较去年同期大增逾7倍，营运成绩相当亮眼。
法人指出，旺宏今年55奈米NOR Flash出货动能转强，本季中高容量NOR Flash价格也可望续涨。工商时报
6.半导体设备需求旺 京鼎昆山厂添购设备扩充产能；
半导体设备厂京鼎（3413）昨（29）日召开股东常会，通过今年每普通股配发6.5元股利。京鼎董事长刘应光表示，两岸半导体业积极扩产，对半导体设备及备品需求畅旺，今年营运仍有成长空间，对景气抱持乐观看法。再者，对于鸿海集团将加强半导体布局一事，刘应光认为，在桦汉入股帆宣后，未来与京鼎之间仍有很大的合作空间。
京鼎股东会昨日通过承认去年财报。受惠于承接全球最大半导体设备厂代工订单，加上设备备品出货出现倍数成长，京鼎去年合并营收年增4.2％达81.68亿元，归属母公司税后净利年增50.6％达13.63亿元，同步改写历史新高，每股净利13.63元。
京鼎股东会昨日也通过今年普通股配发6.5元股利，其中包括6.0元现金股利及0.5元股票股利。京鼎表示，随着人工智能（AI）、虚拟及扩增实境（VR/AR）、物联网等应用快速发展，引领半导体市场持续成长，SEMI预测2018年全球晶圆厂设备支出金额年增 11％，上看630亿美元并创历史新高，这也将带动设备产业与产值成长。此外，中国大陆近年来积极兴建12吋晶圆厂，今年开始陆续进入装机阶段，同样将同步带动设备支出增加。
京鼎因应半导体设备市况正向发展，昆山厂添购设备扩充产能，上半年已陆续投产，产能效益将逐季涌现。同时，京鼎亦看好晶圆厂自动化的产业机会，善用在自动化设备累积多年的光机电整合技术，加上对于半导体制程的熟悉，成功将现有自动化设备性能提升，如控制晶圆制程环境防治微污染工程能力升级，持续开发对应未来更先进的次世代奈米制程设备，并推出主动式微污染防治完整解决方案系列产品，已获晶圆代工龙头大厂采用。
京鼎第一季合并营收年增29.8％达22.72亿元，归属母公司税后净利达2.40亿元，每股净利3.05元，优于市场预期，第二季营运可望维持高档。刘应光表示，京鼎今年营运仍有成长空间，仍抱持乐观看法，而未来几年大陆晶圆厂陆续投产，将会为设备及备品市场带来更快的成长动能。
近期有关鸿海集团将扩大对半导体产业布局，鸿海集团旗下桦汉宣布入股半导体厂务暨设备厂帆宣，刘应光表示，集团布局有一定的广度及深度考量，京鼎与桦汉有良好沟通管道，与帆宣几乎没有竞争及冲突点，未来有很大合作空间。工商时报
7.人工智能商机 2030达15.7万亿美元；
人工智能成为市场显学，预估至2025年，全球AI商机将达2,300亿美元，以年复合成长率45％高速成长，2030年更有大幅跳增，整体规模有机会暴冲至15.7兆美元，并以车载、医疗、消费为主要3大应用市场。
富邦证券指出，AI投资应用蓬勃发展，包括智能音箱、人脸辨识、自驾车等技术，已陆续融入日常生活中，逐渐改变未来产业结构及生态，虽然目前主要AI核心技术掌握在美中两国手中，不过AI技术落实需要运算芯片、零组件、系统组装等硬体代工厂配合，台厂相关供应链也不会在此波趋势中缺席。
英特尔认为，AI技术应用在医学领域，能够加速判断不同病症，为此，英特尔也举办演算法比赛，希望能提前筛查出子宫颈癌，再交由医院来进行做最后诊断及把关。
英特尔说，推展AI医疗应用的关键因素在于从哪里取得资料，以及由谁来参加比赛，Kaggle平台具有20万个以上的数据科学家集结，共同目标是要找出优良的运算法，以及寻找英特尔芯片可改善之处，此外，也跟阿里巴巴合作，在中国大陆进行肺癌筛检，透过电脑断层重建，重新调整为3D画面辨识，提高判读的正确性。
而心脏疾病位居目前人类死亡率榜首，也是英特尔最重视的问题之一，先前日本在心电检测设备上取得领先优势，不过随着AI应用逐渐导入影像辨识功能，中国大陆进而结合硬体与软体，建立起新的商业模式，能将检测数据从手机传到云端上，借由人工智能辨识40种疾病提示，再配合医院系统看诊，形成一种完整的医疗服务。
AI收入 加值服务占55％
由此可见，人工智能正在改变各产业的生态体系，分析目前AI经营模式，主要收入已转变为15％来自软体、30％是硬体，其他55％都是由加值服务而产生，创造更大现金流。
另在无人驾驶应用上，市场预计10年内，自驾车将在全球汽车市场占有一席之地，人工智能将是其蓬勃发展的主要原因，并推动高达1,270亿美元的无人驾驶汽车市场。
以nVidia为例，目前已开发出专属于无人驾驶汽车的人工智能技术，获得25家汽车制造商及科技公司下单，提前开始布局相关市场应用。
而AI与物联网的连结，一般都是透过云端进行数据分析，但以云端传输速度来说，对于自驾车的反应速度不够快，因此需要一部介于云端跟家之间的Edge设备，也就是边际运算的概念，此设备可以放在工厂、机房等地，加快地区运算速度，同时也会带起对终端设备的需求。
亚马逊、谷歌为了布局AI在家庭消费应用，分别推出了Echo系列与Alphabet语音助理，进军智能扬声器市场，且扩大用于电子商务平台的广告推销。联想认为，人工智能技术在各种终端用户垂直领域的应用数量不断增加，尤其是改善对消费者服务，是驱动AI市场成长的主要因素。工商时报
集微网消息（文/小北）台积电向来看重与客户的合作关系，晶圆代工报价追求平稳。然而，在上游晶圆成本上涨及8/12英寸晶圆产能紧缺的情况下，台积电将进行晶圆代工价格上调。作为全球晶圆代工老大，代工价格向来缺乏讨价还价的空间。据悉，台积电8英寸晶圆产能短期内已无法满足客户需求；此外，台积电将于下半年导入苹果处理器订单，这将占据绝大多数台积电先进制程产能。
向台积电看齐，二线晶圆代工厂酝酿上调报价
今年，物联网、车用电子订单全面涌向8英寸晶圆厂，导致8英寸晶圆代工产能明显供不应求。台积电以外的二线晶圆代工同样遇到上游晶圆成本上涨、产能供不应求的情况，因此纷纷向台积电看齐，酝酿上调晶圆代工报价。
据悉，中国本土及台湾地区二线晶圆代工厂已正式向芯片客户下达2018下半年涨价通知。台湾IC设计公司透露，第3季度8英寸晶圆代工报价恐上涨20~30%，除了VIP客户外，多数芯片厂商只能接受涨价。
值得注意的是，二线晶圆代工厂为何集体推动本次价格上涨呢？因为在涨价潮中，二线晶圆代工厂的受益程度是高于台积电等一线晶圆代工厂的。这个可以从两个维度来解释，一方面，晶圆代工需求旺盛，部分订单不得不选择从一线晶圆代工厂向二线晶圆代工厂转移；另一方面，晶圆代工价格上涨幅度将高于原材料等上游成本上涨幅度，二线晶圆代工厂集体推动这次涨价，下游客户只能接受涨价。业内专家表示，联电、中芯及华虹将是本次晶圆代工涨价潮中的主要受惠者。
晶圆代工涨价，下游芯片厂商承压
按照往常经验，晶圆代工成本的上涨可顺势转移给下游芯片厂商，推动芯片涨价。然而，在这波涨价潮中，下游芯片厂商可能无法消化并吸收上游涨价带来的芯片涨价动能。
按照惯例，对于IC芯片公司而言，只要客户不要求每季度芯片价格下降5~10%，则上游成本增加带来压力，都是很容易吸收的。对于一线IC芯片公司，甚至可以采取顺势涨价的策略，将成本上涨转移到下游客户身上。
中国本土IC设计厂商与台湾地区IC设计厂商正在疯狂抢夺市场。若台湾IC设计厂商采取顺势涨价的策略，将成本上涨的压力转移给下游客户，很可能失去绝大多数大陆客户。因此，面对着这次上游成本涨价潮，台湾IC芯片公司很可能不采取涨价的策略，并对2018年第3季度毛利率展望持保守态度。
据台湾LCD驱动IC大厂透露，短期内8英寸晶圆代工产能明显不足，公司已选择采用12英寸晶圆代工，以缓解8英寸供应能力缺乏的情况，但由于12英寸晶圆代工价格要高出20~30%，因此将对公司毛利润产生一定影响，后续将视情况与下游客户沟通，希望可以将上涨的成本转移出去。
对于希望毛利润回归40%水平的联发科而言，同样面临上游晶圆代工成本上涨的压力。业内专家猜测，鉴于联发科与高通及展讯展开猛烈厮杀的情况，联发科很可能选择自身消化上游制造成本的增加，而非选择提高芯片价格的策略。（校对/小北）
集微网消息（文/Aki），市场对于3D NAND的需求有多大，从这一市场的竞争激烈程度可见一斑！
2018年5月29日，援引韩国媒体报道，三星计划在2018年提升目前64层3D NAND产品的比重，并与今年年内在华城、平泽的工厂抢先量产96层3D NAND产品，甚至还计划抢先竞争对手，开始投入128层3D NAND的研发量产工作。
而三星的这一举动或将彻底的引燃本就“战火”不断的NAND Flash高层堆叠市场，美、日、韩等多国的内存大厂都将参战，市场竞争的激烈程度更是让人难以想象。
“战火”不断的3D NAND Flash
2017年下半年是各大厂商3D NAND争相量产的时期。
三星开始量产64层3D NAND，并利用新平泽工厂提高产量，美光推进64层3D NAND也非常顺利，东芝、西部数据也从2017下半年开始量产64层3D NAND。
与此同时，为了降低NAND Flash生产成本，提升产品的竞争力，美、日、韩等多国的内存大厂近期都在加速更高层堆叠以及QLC四比特单元存储产品的开发。
比如，全球NAND Flash第二大厂东芝已于2017年6月与西数同时宣布，采用BiCS4技术的96层3D NAND已完成研发。现在，随着东芝半导体事业出售案落下实锤，业内普遍认为，未来东芝将会在NAND Flash突飞猛进。
而美光与英特尔合作开发的NAND F
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