1.硅晶圆涨价趋势仍将延续，晶圆代工厂毛利率恐受影响；

2.难挡晶圆代工涨价潮，芯片厂商利润受压缩；

3.3D NAND市场“战火”不断，140层还会远吗？

4.中国不满DRAM涨太凶，传代陆厂向三星、SK海力士杀价；

5.DRAM/NAND存储器需求持续增温 南亚科、旺宏业绩看好；

6.半导体设备需求旺 京鼎昆山厂添购设备扩充产能；

7.人工智能商机 2030达15.7万亿美元；

1.硅晶圆涨价趋势仍将延续，晶圆代工厂毛利率恐受影响；

综合报道，过去10年，半导体硅晶圆因供过于求，使得价格不断走跌。但从2017年初起，情势出现大反转，供不应求推升硅晶圆的报价逐季飙涨。展望未来，随着三星等国际晶圆大厂产能持续扩充，以及长江存储等大陆厂商将在2019年上半年陆续量产，硅晶圆报价呈现续涨走势，硅晶圆厂商的订单已延续至2020年。

据了解，2017年初起硅晶圆供不应求，推升整体报价涨幅约达20%。而硅晶圆涨价的主要原因体现在两个方面，一方面是车联网、物联网、存储、AI和比特币等应用的爆发，推升半导体需求大增；另一方面是全球前五大厂商并未有扩充产能的计划，使得硅晶圆市况由生产过剩转为供不应求，带动报价大幅走高。

值得注意的是，受到硅晶圆逐季涨价冲击，晶圆代工厂的毛利率将受到影响。其中，台积电先前曾表示，因已签定年度合约，2017年受硅晶圆涨价影响较小，约影响毛利率0.2个百分点，但2018年价格续涨，影响可能扩大至0.5~1个百分点。市场预期，一线大厂因签年度长约，目前涨价影响较小，但2019年重新议价后，毛利率减损恐会扩大，而二线厂GlobalFoundries、世界先进、联电、中芯，以及大陆长江存储等多家厂商受创程度恐超乎预期。

大陆地区新建晶圆厂将带动硅晶圆需求大增

目前在半导体硅晶圆市场，国外巨头占据了主要的市场份额。其中，包括日本信越半导体、日本胜高(SUMCO)、台环球晶、德国Silitronic和南韩乐金(LG)在内的全球前五大厂商占据了硅晶圆 90% 的市场份额。

全球第二大硅晶圆厂商日本胜高(SUMCO)此前表示，在12英寸硅晶圆的部分，预估2018年价格将如预期回升约20%(2018年Q4价格将较2016年Q4高出40%)，且预估2019年价格将持续回升，当前顾客关心的重点在于确保能取得所需的数量，且已开始就2021年以后的契约进行协商。

在8英寸的部分，供应量增加有限，今后恐长期呈现供需紧绷状态，顾客对于采购8英寸硅晶圆的危机感更胜于12英寸产品；在6英寸的部分，当前供应不足情况显现，价格虽回升，不过中长期前景不明。

值得一提的是，受惠于硅晶圆不断涨价趋势，SUMCO入股的台胜科的业绩表现十分亮眼。据了解，台胜科成立于1995年，由台塑与SUMCO合资成立，持股分别为38%、46.95%，主要生产8英寸及12英寸硅晶圆，分别占营收比重为40%、60%，客户群为晶圆代工厂及存储器厂。

在台胜科近日举办的法说会上，副总经理赵荣祥表示，目前台胜科12英寸月产能为28万片，8英寸月产能32万片，硅晶圆需求持续畅旺，台胜科会全力提高生产效率去瓶颈化，估计2018年报价会有两位数的成长，供需吃紧状况会至2020年，价格也会一路上涨。

赵荣祥进一步指出，台胜科订单能见度已至2020年，主要动能来自大陆地区新建的晶圆厂产能将开出，带动硅晶圆需求大增，预估2017~2020年的需求量将大增1.35倍；存储器厂方面，目前正在进行扩建的包括：海力士在无锡约扩建15万片月产能、三星则在西安扩增10万片的月产能、而合肥的睿力也将有新产能开出。 此外，福建晋华和武汉长江存储虽然进度较预期慢，但受到中美贸易战冲击，大陆地区加快半导体发展，福建晋华和长江存储已加速投产脚步，未来月产能约4,000~5,000片，持续朝1万片迈进。

国内12英寸、8英寸硅片产能现状

硅片是晶圆厂最重要的上游原材料。可以说，上游晶圆硅片材料受制于人，对迅速发展集成电路全产业的中国大陆来说也成为产业发展的桎梏。

据招商证券报告显示，在12英寸硅片方面，截止2017年11月，我国12英寸硅片需求量为45万片（包括三星西安、SK海力士无锡、英特尔大连、联芯厦门），随着晶合集成、台积电南京和格芯成都的陆续投产，加上紫光南京、长鑫合肥、晋华集成三大存储芯片厂的建成，预估到2020年我国12英寸硅片月需求量为80-100万片。

目前我国12英寸硅片主要依赖进口，但规划中的月产能已经达到120万片，后续如均能顺利量产，可基本满足国内需求。

其中，中环股份（002129.SZ）于2017年10月13日和无锡市签署《战略合作协议》，共同在宜兴市建设集成电路用大硅片生产与制造项目。项目总投资约30亿美元，一期投资约15亿美元；上海新阳（300236.SZ）参股的上海新昇目前已经实现了挡片的批量供货，正片也有小批量样片实现销售，目前产能4-5万片/月，预计2018年产能可达10万片/月；重庆超硅的12英寸硅片开发进展也较为顺利。

而在8英寸硅片方面，截止至2016年底，我国具备8英寸硅片和外延片生产能力的公司合计月产能为23.3万片/月，实际产能利用率不足50%，2016年全年我国仅仅产出120万片8英寸硅片，只满足国内的10%的需求。从目前已经公布的产能来看，8英寸硅片月产能已经达到140万片，合计超过160万片，远远超过我国8英寸硅晶圆的月需求80万片的规模。

2.难挡晶圆代工涨价潮，芯片厂商利润受压缩；

台积电向来看重与客户的合作关系，晶圆代工报价追求平稳。然而，在上游晶圆成本上涨及8/12英寸晶圆产能紧缺的情况下，台积电将进行晶圆代工价格上调。作为全球晶圆代工老大，代工价格向来缺乏讨价还价的空间。据悉，台积电8英寸晶圆产能短期内已无法满足客户需求；此外，台积电将于下半年导入苹果处理器订单，这将占据绝大多数台积电先进制程产能。

向台积电看齐，二线晶圆代工厂酝酿上调报价今年，物联网、车用电子订单全面涌向8英寸晶圆厂，导致8英寸晶圆代工产能明显供不应求。台积电以外的二线晶圆代工同样遇到上游晶圆成本上涨、产能供不应求的情况，因此纷纷向台积电看齐，酝酿上调晶圆代工报价。

据悉，中国本土及台湾地区二线晶圆代工厂已正式向芯片客户下达2018下半年涨价通知。台湾IC设计公司透露，第3季度8英寸晶圆代工报价恐上涨20~30%，除了VIP客户外，多数芯片厂商只能接受涨价。

值得注意的是，二线晶圆代工厂为何集体推动本次价格上涨呢？因为在涨价潮中，二线晶圆代工厂的受益程度是高于台积电等一线晶圆代工厂的。这个可以从两个维度来解释，一方面，晶圆代工需求旺盛，部分订单不得不选择从一线晶圆代工厂向二线晶圆代工厂转移；另一方面，晶圆代工价格上涨幅度将高于原材料等上游成本上涨幅度，二线晶圆代工厂集体推动这次涨价，下游客户只能接受涨价。业内专家表示，联电、中芯及华虹将是本次晶圆代工涨价潮中的主要受惠者。

晶圆代工涨价，下游芯片厂商承压按照往常经验，晶圆代工成本的上涨可顺势转移给下游芯片厂商，推动芯片涨价。然而，在这波涨价潮中，下游芯片厂商可能无法消化并吸收上游涨价带来的芯片涨价动能。

按照惯例，对于IC芯片公司而言，只要客户不要求每季度芯片价格下降5~10%，则上游成本增加带来压力，都是很容易吸收的。对于一线IC芯片公司，甚至可以采取顺势涨价的策略，将成本上涨转移到下游客户身上。

中国本土IC设计厂商与台湾地区IC设计厂商正在疯狂抢夺市场。若台湾IC设计厂商采取顺势涨价的策略，将成本上涨的压力转移给下游客户，很可能失去绝大多数大陆客户。因此，面对着这次上游成本涨价潮，台湾IC芯片公司很可能不采取涨价的策略，并对2018年第3季度毛利率展望持保守态度。

据台湾LCD驱动IC大厂透露，短期内8英寸晶圆代工产能明显不足，公司已选择采用12英寸晶圆代工，以缓解8英寸供应能力缺乏的情况，但由于12英寸晶圆代工价格要高出20~30%，因此将对公司毛利润产生一定影响，后续将视情况与下游客户沟通，希望可以将上涨的成本转移出去。 

对于希望毛利润回归40%水平的联发科而言，同样面临上游晶圆代工成本上涨的压力。业内专家猜测，鉴于联发科与高通及展讯展开猛烈厮杀的情况，联发科很可能选择自身消化上游制造成本的增加，而非选择提高芯片价格的策略。（校对/小北）3.3D NAND市场“战火”不断，140层还会远吗？

市场对于3D NAND的需求有多大，从这一市场的竞争激烈程度可见一斑！

2018年5月29日，援引韩国媒体报道，三星计划在2018年提升目前64层3D NAND产品的比重，并与今年年内在华城、平泽的工厂抢先量产96层3D NAND产品，甚至还计划抢先竞争对手，开始投入128层3D NAND的研发量产工作。

而三星的这一举动或将彻底的引燃本就“战火”不断的NAND Flash高层堆叠市场，美、日、韩等多国的内存大厂都将参战，市场竞争的激烈程度更是让人难以想象。

“战火”不断的3D NAND Flash

2017年下半年是各大厂商3D NAND争相量产的时期。

三星开始量产64层3D NAND，并利用新平泽工厂提高产量，美光推进64层3D NAND也非常顺利，东芝、西部数据也从2017下半年开始量产64层3D NAND。

与此同时，为了降低NAND Flash生产成本，提升产品的竞争力，美、日、韩等多国的内存大厂近期都在加速更高层堆叠以及QLC四比特单元存储产品的开发。

比如，全球NAND Flash第二大厂东芝已于2017年6月与西数同时宣布，采用BiCS4技术的96层3D NAND已完成研发。现在，随着东芝半导体事业出售案落下实锤，业内普遍认为，未来东芝将会在NAND Flash突飞猛进。

而美光与英特尔合作开发的NAND Flash产品，也在最近传出了96层3D NAND研发顺利的消息。

至于SK海力士，2017年7月，就已经开始大规模生产72层（第四代）3D NAND闪存芯片。虽然目前SK海力士在NAND Flash领域排名落后，但是SK海力士也决定在2018年完成96层3D NAND产品研发。