基于此,课题组研究人员通过球磨和放电等离子烧结法制备了一系列n型纳米相InSb复合的BiTeSe基材料 (Bi2Te2.7Se0.3-f(InSb) (0≤f≤2.5vol.%))。其中复合样品Bi2Te2.7Se0.3-1.5 vol%InSb的热电优值ZT在323 K时达到1.22,为已报道的最高值。该体系中优异的热电性能主要归因于高载流子迁移率的纳米相InSb的引入,一方面使基体保持了高载流子迁移率,另一方面增强了界面散射,有效地散射了基体中的载热声子,最终使得复合材料具有极低晶格热导率的同时还保持高功率因子。Bi2Te2.7Se0.3-1.5 vol%InSb在300-425 K温度范围内的平均ZT为1.14,相比于前期文献报道值0.96(如图3(c))增大了15%。
该工作得到国家自然科学基金、安徽省自然科学基金以及固体所所长基金的支持。
图1 (a) 热电发电(Seebeck效应)示意图,(b) 热电制冷(Peltier效应)示意图。
图2 复合体系Bi2Te2.7Se0.3-f(InSb) (f = 0,1.0,1.5,2.0和2.5 vol%) 的 (a) 电阻率;(b) 热电势;(c) 载流子浓度;(d) 功率因子;(e) 热导率以及 (f) 晶格热导率随温度的变化关系。
图3 复合体系Bi2Te2.7Se0.3-f(InSb) (f = 0,1.0,1.5,2.0和2.5 vol%) 的 (a) ZT值与温度对应关系曲线;该体系中 (b) 最高ZT值及 (c) 平均ZT值与文献报道值的对比关系图。