三星电子7日宣布，已开发出业界首个12层的3D-TSV（Through Silicon Via）技术。此技术透过精确的定位，把12个DRAM芯片以超过6万个以上的TSV孔，进行3D的垂直互连，且厚度只有头发的二十分之一。

三星指出，该技术封装的厚度与目前的第二代8层高频宽存储器（HBM2）产品相同，能协助客户推出具有更高性能与容量的次世代储存产品，且无需更改其系统配置。

此外，新3D封装技术还具有比现有的引线键合技术短的芯片间数据传输时间，能显着提高速度并降低功耗。

三星电子TSP（测试与系统封装）执行副总裁Hong-Joo Baek表示，随着各种新的高性能应用的出现（如AI和HPC），能整合所有复杂的超高性能存储器的封装技术变得越来越重要。随着摩尔定律达到其极限，预计3D-TSV技术的作用将变得更加关键。

此外，透过将堆叠层数从8个增加到12个，三星表示将很快能够量产24GB高频宽存储器，其容量是当今市场上8GB的三倍。

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