光刻技术--Lithography Technology

光刻技术(Lithography Technology)：光刻一种精密的微细加工技术。常规光刻技术是采用紫外光作为图像信息载体，以光致抗光刻技术蚀剂为中间（图像记录）媒介实现图形的变换、转移和处理，最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。

公司提供电子束光刻、步进式光刻、接触式光刻等光刻技术，线宽最小可达10nm，多种光刻结合的先进光刻理念，实现您不同尺寸的光刻需求。

电子束光刻：最小线宽50nm（成熟），适合在导电衬底、图形面积小的图形加工。　

投影式光刻：stepper i7/i10/i12，最小线宽350nm，适合在标准圆片上有量加工。　

接触、接近式光刻：MA6/BA6光刻机，最小线宽1um，适合正反套刻，衬底包容性高

刻蚀工艺--ETCH technology

刻蚀工艺：是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀

公司拥有离子束刻蚀、深硅刻蚀、反应离子刻蚀、聚焦离子束等刻蚀技术，满足对硅、氧化硅、氮化硅、金属、石英等材料的刻蚀。

镀膜工艺---Coating Technology

镀膜技术： 是指在真空条件下，采用物理轰击或者化学反应的方法将材料（俗称靶材或膜料）沉积在整个基材表面的一种技术。

 

公司拥有电子束蒸发、磁控溅射、LPCVD、PECVD、ALD等一系列镀膜技术，蒸镀材料涵盖金、铂、钨、镍、银、铜、铝、锡、铬、钛、钽等全部常用金属，非晶硅、氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化铪等非金属材料，镀膜具有均匀性好，膜层致密，均匀性好等特点。

 

电镀工艺--Electroplating Technology

电镀工艺是基材种子层光刻后，利用电解的原理，在露出金属的表面上，生长上一层金属或合金的过程，该工艺可以用来制作厚的导电层。

公司可以沉积金，锡，镍，铜4种金属。夹具适用2、4、6寸硅片。利用电解池原理在机械制品上沉积出附着良好的、但性能和基体材料不同的金属覆层的技术。电镀层比热浸层均匀，一般都较薄，从几个微米到几十微米不等。通过电镀，可以在机械制品上获得装饰保护性和各种功能性的表面层，还可以修复磨损和加工失误的工件。

 

此外，依各种电镀需求还有不同的作用。举例如下：

1.镀铜：打底用，增进电镀层附着能力，及抗蚀能力。（铜容易氧化，氧化后，铜绿不再导电，所以镀铜产品一定要做铜保护）

2.镀镍：打底用或做外观，增进抗蚀能力及耐磨能力，（其中化学镍为现代工艺中耐磨能力超过镀铬）。（注意，许多电子产品，比如DIN头，N头，已经不再使用镍打底，主要是由于镍有磁性，会影响到电性能里面的无源互调）

3.镀金：改善导电接触阻抗，增进信号传输。（金最稳定，也最贵。)

4.镀钯镍：改善导电接触阻抗，增进信号传输，耐磨性高于金。

5.镀锡铅：增进焊接能力，快被其他替物取代（因含铅现大部分改为镀亮锡及雾锡）。

6.镀银：改善导电接触阻抗，增进信号传输。（银性能最好，容易氧化，氧化后也导电）

电镀是利用电解的原理将导电体铺上一层金属的方法。

TSV技术---TSV Technology

硅通孔技术（Through Silicon Via， TSV）技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。

 TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。

TSV技术的优势

①缩小封装尺寸；

②高频特性出色，减小传输延时、降低噪声；

③降低芯片功耗，据称，TSV可将硅锗芯片的功耗降低大约40%；

④热膨胀可靠性高。

键合技术---Bonding Technology

键合技术是指基底表面进行过清洁或活化处理，原子级平整的同质或异质半导体材料,在一定的温度、压力和电压下，由于范德华力的作用，在两片基底界面处发生化学作用而键合在一起的技术。键合工艺类型：阳极键合、硅硅键合、共晶键合、胶类键合，引线键合等。

我们提供键合类型：

1、阳极键合（pyrex 玻璃和硅片）;

2、共晶键合（PbSn，AuSn，CuSn，AuSi等等）焊料由客户提供;

3、胶键合（AZ4620，SU8，键合专用胶);

4、引线键合；

5、其他。

PDMS技术---PDMS Technology

PDMS技术---PDMS Technꄲ下一个： 键合技术---Bonding Technology

(Polydimethylsiloxane，PDMS)作为一种高分子有机硅化合物。具有光学透明，且在一般情况下，被认为是惰性，无毒，不易燃。

聚二甲基硅氧烷（PDMS)是最广泛使用的硅为基础的有机聚合物材料，成为一种广泛应用于微流控等领域的聚合物材料其运用包括在生物微机电中的微流道系统、填缝剂、润滑剂、隐形眼镜。

公司提供多种微流控模板，微流控器件的制作，材料包含硅、石英玻璃、PET等，尺寸涵盖纳米到厘米级别。

封装技术--Package Technology

公司提供TO5/TO39/TO46等各类型TO类的大批量表面贴封，

小批量的悬空封装等，

同时可以提供LCC、QFN、DFN等封装形式的快封。

硅片切割和封装技术---Wafer cutting Technology

晶圆流片完成后，需要分割成单个die来进行后续的工艺封装制程。由于MEMS独特的立体结构，多悬膜和悬梁，很容易在切割过程中造成损坏，因此分割技术在MEMS器件中占有重要的一环。

公司依托于砂轮切割、激光烧蚀切割、激光隐形切割等技术，可以进行材质的异形切割加工，加工材料包括：硅基底、玻璃、石英、陶瓷、金属基底、柔性基底等。

检测技术 - Detection technology

公司拥有多种专业的微纳检测技术，

包括台阶仪，膜厚仪，FTIR、TEM,SEM,XRD,AFM,XPS,3D 显微镜，拉曼等。

外延生长--Outer edge of growth

外延生长是指在单晶衬底（基片）上,按照要求生长一层具有一定厚度和晶向的单晶层，按照衬底和所生长单晶层的材料类型，可以分为同质外延和异质外延。

公司提供衬底为蓝宝石，Si,GaN,GaAs，SiC的外延生长，载气包括氢气，氮气，MO源包括镓，铟，铝，镁，硅，氮源有氨气。

旋涂技术--Spin coating

旋涂和喷胶技术，作为立体加工的MEMS工艺，

在每层光刻之前，旋涂和喷胶技术是至关重要的一环。

 

公司提供专业的旋涂和喷胶技术，

样品尺寸涵盖1cm2到8寸晶圆，

样品材质包括柔性基底和硬质基底，

膜层均匀性好，粘附性高。

清洗表面活化技术---Cleaning Technology

针对晶圆表面的颗粒物、有机物、金属离子、自然氧化层等污染物，

公司提供专业的干法和湿法清洗工艺，保证晶圆表面的洁净度。

 

嵌入式产品设计--Design

依据客户的需求，做定制化的电路设计，软件算法等嵌入式产品设计