SiC衬底测试项目
SiC衬底方面的标准比较健全，主要包含了单晶片的规范，涉及直径、厚度及总厚度变化（TTV）、局部厚度变化（LTV）、弯曲度（Bow）、翘曲度（Warp）、晶型、表面取向、定位边、电导率、缺陷（微管密度、表面玷污、划痕、凹坑等），而在其他方面，如外延、器件及应用方面标准还没有形成。SJ行业标准。
相关设备
相关检测设备：
光学表面分析仪
设备用途：光学表面分析仪是针对SiC单晶片与外延片行业的表面缺陷的检查分析仪器。
可检材料：Si、SiC、GaAs、GaN、AlN
测试精度：0.3μm
适用标准：GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法
光学表面分析仪
设备用途：光学表面分析仪是针对SiC单晶片与外延片行业的表面缺陷的检查分析仪器。
可检材料：Si、SiC、GaAs、GaN、AlN
测试精度：0.3μm
适用标准：GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法
单晶材料检测设备
可检尺寸：2~6寸
可检材料：Si、SiC、GaAs、GaN、AlN：0.1nm
适用标准:
GB/T 30656-2014碳化硅单晶抛光片
SJ/T11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法
平整度测试仪
设备用途：平整度测试仪用来测试TTV、TIR、LTV、BOW、WARP等晶片面型参数。
可检尺寸：2~6寸
可检材料：Si、SiC、GaAs、GaN、AlN
测试精度：0.001μm
适用标准:
GB/T6618-2009硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T6619-2009 硅片弯曲度测试方法
偏光显微镜
设备用途：偏光显微镜用来测量样品表面缺陷
可检尺寸：2~4寸/2-8寸
可检材料：Si、SiC、GaAs、GaN、AlN
适用标准：GB/T31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
拉曼光谱测试仪
设备用途：用来绘制单晶材料晶型分布图
可检尺寸：2~6寸
可检材料：Si、SiC、GaAs、GaN、AlN
测试精度：0.65cm-1
适用标准：
GB/T30656-2014碳化硅单晶抛光片
SJ/T11501-2015碳化硅单晶晶型的测试方法
非接触高阻测试仪
设备用途：非接触高阻电阻率测试仪是通过非接触电容探测系统来计算被测晶片的电阻。
可检尺寸：3~6寸
可检材料：Si、SiC、GaAs
测试范围：105Ω·cm ~1012Ω·cm
适用标准：
GB/T 30656-2014碳化硅单晶抛光片
电阻率测试仪
设备用途：电阻率测试仪采用涡流法测量半导体材料的方块电阻或体电阻。
可检尺寸：2~8寸
可检材料：Si、SiC、GaAs、GaN
测试精度：0.001Ω·cm
测试量程：0.01Ω·cm~0.5Ω·cm
适用标准：GB/T6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
CV汞探针测试仪
设备用途：CV汞探针测试仪测试外延层掺杂浓度
可检尺寸：2~8寸
可检材料：SiC、GaN、GaAs等外延层掺杂浓度
测试精度：0.5%
测试量程：1E14-1E19carriers/cm3