测试样品较多时，样品的尺寸最好准备为2*0.5cm长条形，不超过2*1cm，一次可放四个样品，具体尺寸可协商。
支持大尺寸晶圆
1. 深紫外发光光谱技术简介
深紫外发光光谱是研究半导体材料物理性质的一种重要手段。通常所说的半导体发光是半导体中电子从高能态跃迁至低能态时，伴之以发射光子的辐射复合。我们利用深紫外激光器产生的激光或电子枪发出的电子束到达样品室并入射到样品表面，样品发出的荧光信号被收集进入单色仪，该信号经单色仪分光后由探测系统探测，计算机对探测信号进行采集并形成最终的深紫外发光光谱。
2. 我们能够提供测量的光谱类型及其应用范围
光致发光（PL）：使用飞秒激光激发样品，激发波长：（1）~177 nm；（2）200nm-310nm可调；（3）345nm-465nm可调；（4）532 nm；（5）690nm-930nm可调。PL光谱可以实现稳态光谱和瞬态（时间分辨）光谱的测量。稳态光谱可用于研究半导体材料的基本物理性质，如晶体结构、电子态、声子结构、杂质、缺陷、激子复合机制等。瞬态光谱采用条纹相机探测，既可以得到不同时刻的时间分辨光谱，也可以得到某一波长处的荧光衰退曲线，时间分辨率为2 ps。可以用来研究半导体材料载流子动力学性质。
阴极荧光（CL）：使用电子束激发样品，最大能量30 KeV。可用于表征宽禁带半导体材料性质。波长扫描范围：170 nm-850 nm。
3. 参考报价及交付周期
深紫外发光评价参数主要有参考报价、交付周期，根据客户的不同使用情况我们会选择合适的激光波长或电子束能量。具体等级划分及相关参数如下：
仪器设备 | 加工测试方法 | 开机费（元） | 测试单价（元/谱） | 备注 |
深紫外 光谱仪 | 室温稳态 | 1500 | 1500 |
1. 激发模式包括PL模式和CL模式，其中PL模式可测时间分辨光谱 2.需对样品进行处理（如腐蚀）另行计费。 3.更换激发波长（+1000元/次）（开机费+测试费/光谱条数） |
室温瞬态 | 1500 | 2200 | ||
低温稳态 | 2200 | 2200 | ||
低温瞬态 | 2200 | 2200 | ||
阴极荧光光谱 | 室温光谱 | 1500 | 1500元 | |
低温光谱 | 2200 | 2200 | ||
近紫外－可见－近红外光致发光光谱 | 室温光谱 | 500 | 800 | |
低温光谱 | 800 | 1500 | ||
注意： 测试样品较多时，样品的尺寸最好准备为2*0.5 cm长条形，不超过2*1 cm，一次可放四个样品，具体尺寸可协商。 目前最低温度可达10 K，整个光谱仪系统的时间分辨率为 16ps，而单个条纹相机的时间分辨率为 2ps。 寿命测量为ns级，低温存在369 nm和375 nm胶的峰值，室温存在383nm胶的峰值 尽可能给出较具体的样品信息与测试条件，如样品结构、带宽、发光峰位置、测试的激发光波长、测试温度及测试波长范围等信息。 关于加急服务：常规周期为7个工作日内给出测试结果，对于较难测得信号的样品，时间可能会有所延迟。若加急服务，<5天（原有价格*1.5倍），<3天（原有价格*3）。 测试流程：客户提交需求-->测试人员分析测试的可行性-->确认进行测试-->提供测得的数据 |
4. 深紫外发光光谱测试设备介绍：
1. PL光谱 技术参数与能力： 波长：690 nm-930 nm，345 nm-465 nm和200 nm-310nm三个波段内可调，最小激光波长可达177 nm 波长扫描范围：170 nm-850 nm 温度范围：10 K-300 K 时间分辨率(瞬态光谱)：2 ps 狭缝、步长及激光功率视具体情况而定 |
2. CL光谱 技术参数与能力： 电子束能量：最高可达30 keV 波长扫描范围：170 nm-850 nm 温度范围：10 K-300 K |
5. 我们的服务：
（1）更高效、更全面满足需求：负责多家深紫外光谱PL/CL的统筹、调度工作，从而能够满足您的要求、同时能够更高效率的利用资源。
（2）财务结算上，我们以尽量简洁的方式进行，可分进行单次结算和每月结算。
6.测试流程：
（1）线上提交订单：
测试人信息：姓名-单位-联系方式-配送地址
样品信息：尺寸，结构，可能出现的发光峰、测试要求，越详尽越好。
（2）平台出具方案及报价
（3）我们在测试期间发现问题会通过电话或邮件与您进行沟通确认。
（4）交付工期，我们分为加急和普通两类。
一般加急件三天内可以完成，第三天客户可以收到数据。
而对于普通件，一般工期为7～10天内收到数据。
对于一些特殊样品，较难测得信号的样品或对激光波长有要求，可能需要更长的时间，我们一起协商工期的问题。
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