服务详情
表面光电压测试(SPV)
¥面议
周期:3-5个工作日
设备:CEL-SPS1000
表面光电压法(surface photovoltage method),简称SPV法,是通过测量由于光照在半导体材料表面产生的表面电压来获得少数载流子扩散长度的方法。
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样品要求

1.粉末材料需研磨成细小颗粒。(粉末样品装在玻璃瓶或塑料管中,请勿放在样品袋中,以避免静电影响取样)用量:堆积体积不少于0.3ml

2.薄膜材料要求有一定厚度面积最好为20mm*5mm-40mm*15mm,类似于电化学工作电极需要预留出一段空白导电玻璃。

3. 半导体以及晶体测试需要提前引出阴阳极接头。(薄膜,半导体、晶体只能测试表面光电压)

4.稳态测试告知扫描速度及测试范围,大致激发波长;

5.瞬态告知激发波长和大致激发强度。

服务描述

用能量大于半导体材料禁带宽度的单色光照射在半导体材料表面,在其内部产生电子-空穴对,受浓度梯度驱动扩散至半导体材料近表面空间电荷区的电子和空穴将被自建电场分离,形成光生电压,即表面光电压。

根据表面光电压与人射单色光的光子流密度、波长、材料对光的吸收系数和少子扩散长度之间的关系可得到少子扩散长度,进而可以获得少子寿命。SPV法是表征半导体材料少子扩散长度的主要方法。

主要应用:

半导体材料的光生电压性能的测试分析、可开展光催化等方面的机理研究,应用于太阳能电池、光解水制氢等方面的研究,可用于研究光生电荷的性质,如:光生电荷扩散方向;解析光生电荷属性等。主要代表材料有TiO2、ZnO、CdS、GaAs、CdTe、CdSe等。


CEL-SPS1000表面光电压谱仪 (SPV/SPC/SPS)设备简介

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表面光电压谱的技术参数

1) 光电压谱测量:最小电压>10nV;功能材料的光电性质,可开展光催化等方面的机理研究;

2) 光电流谱测量:最小电流>10 pA;研究功能材料光电流性质,可应用于太阳能电池、光解水制氢等方面的研究;

3) 光伏相位谱分析:相检测范围:-180°至+180°;可用于研究光生电荷的性质,如:光生电荷扩散方向;解析光生电荷属性等;

4) 表面光电压、光电流、相位谱分析的光谱波长范围:200-1600nm,可以全光谱连续扫描,光谱分辨率0.1nm,波长准确度±0.1nm;

5) 可以实现任意定波长下,不同强度光照下的表面光电压、光电流、相位谱分析,实现光谱分析的多元化;

6) 光路设计一体化、所有光路均在暗室中或封闭光路中进行,无外界杂光干扰;

7) 光源配置:氙灯光源(200/300-1100nm);卤素灯光源(400-1600nm);氘灯光源(190-400nm);

8) 氙灯光源500W,可点光源(2-6mm)或平行光输出(40-80mm),可以实现变焦,实现软件反控调节光的输入功率,可以实现250W-500W软件连续可调,USB接口控制,完成5)的测试分析;

9) 单色仪:出入口可平行或垂直,焦距300mm,相对孔径:F/4.8,光学结构:非对称水平Czerny-Tuner光路,光栅面积55*55mm,最小步距0.0023nm,光谱范围200-1600nm;

10) 配置全自动6档滤光片轮,消除各种杂散光尤其>600nm标配滤光片3片,范围185-1600nm;

11) 锁相放大器(斯坦福):1.mHz-102.4kHz频率范围;2.大于100dB动态存储;3.5ppm/oC的稳定性;4.0.01度相位分辨率;5.时间常数10us-30ks;6.同步参考源信号;7.GPIB及RS232接口;8.9转25串口线;9.USB转232串口线

12) 斩波器(斯坦福)1.具有电压控制输入,四位数字频率显示,十段频率控制,和两种可选工作模式的参考输出;2.4Hz—3.7kHz斩波频率;3.单光束和双光束调制;4.低相位抖动频和差频参考信号输出;5.USB转232串口线;

13) 专用控制软件,数据记载,数据保存,应用于表面光电压谱的数据反馈,可以反控单色仪、锁相放大器(SR810、SR830、7265、7225)、斩波器、光源,根据需求自行修改参数,可根据需求进行源数据导出;

14) 主要配件:1.光学导轨及滑块;2.封闭的光学光路系统;3.标准的光学暗室;4.光电压及光电流池;5.外电场调系统;6.电流-电压转换器;7.计算机;8,光学平台(选配)。

15) 标准主件:氙灯光源、单色仪、滤光片轮、斩波器(斯坦福)、锁相放大器(斯坦福)、样品池。

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案列展示

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