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高电子迁移率晶体管（HEMT）代仿真和分析服务
1. 主要服务内容
（1）HEMT器件仿真项目的构建：
---包含HEMT器件结构建模（2D或3D）、材料参数设置、计算方案设计、收敛性优化设置；
（2）HEMT器件参数校正：
---根据客户所提供的实验数据进行仿真与实验的拟合，以校正材料参数和物理模型参数，形成具有客户独有的材料参数和物理模型参数数据库。
（3）HEMT器件性能评价：
---考核HEMT器件特性，包含正向IV、反向BV、带外电路的mix-mode性能、界面效应、栅极漏电、缺陷分布、能带结构、载流子分布、内部电场/电势分布等，并分析其优劣的物理原因，出具性能分析报告；
（4）HEMT器件结构优化：
---针对性能不佳的HEMT器件，通过仿真对器件外延层结构、界面效应、缺陷分布、侧向芯片结构、电极形状等方面进行优化，为用户提供最终优化方案；
2. HEMT器件种类
编号 | 器件名称 |
1 | GaAs/GaN ba |
2 | D-mode/E-mode HEMT |
3 | Short-channel HEMT |
3. 仿真及分析软件
软件名称 | 型号及厂家 | 功 能 |
APSYS | 2018-64bit CROSSLIGHT | 基于2D/3D的有限元分析方法，结合先进物理模型，求解2D/3D光、电、热的方程，实现对半导体器件的仿真。 |
4. 技术优势：
（1）技术团队：专注于化合物半导体器件仿真与分析10年以上经验；
（2）软件开放性：可根据用户需要修改和添加新材料，可按照用户要求在软件核心程序中添加物理模型，实现特殊的仿真功能。
（3）一条龙服务：为用户提供结构建模、仿真、性能分析和优化系统服务，并出具报告。
（4）服务的时效性：7*24小时，随时随地的服务支持；
5. 合作方式：
一对一具体洽谈，根据用户需要和仿真内容制定方案及报价。
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