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1. GOI测试结构和测试方法
传统GOI测试结构（三层平板）
GOI是测试Oxide的抗击穿特性，一般测试oxide的击穿电压和在正常工作下的寿命.
GOI共有两种测试方法，分别是Vbd和TDDB.
Vbd， 在栅极上施加线性电压直至氧化层击穿，Pretest voltage= X0 ramp电压到X (电场10MV/cm)。根据击穿电压分类实效模式.
l A mode: leakage>0.1uA/mm2@pretest voltage
l B mode:X1
TDDB: 测试与时间有关的击穿，施加小电压的过程中，氧化层内产生了缺陷，一定时间后发生击穿
1) Test condition: temperature =125℃ 0.8Vbd hold until breakdown.
l A mode: leakage>0.1uA/mm2@pretest voltage
l B mode:X1
2. 测试机台及型号
序号 | 名称 | 品牌型号 | 备注 |
1 | 探针台 | Cascade summit 12K | 最大样品直径：200mm |
2 | 半导体参数分析仪 | Keysight B1500A | |
3 | 直流探针及探针座 | Cascade | |
4 | 高低温系统 | ATT | 范围：-60℃~+300℃ |
3. 技术指标：
（1）可以测8寸Si， 测试之前需要在wafer 上制备三层平板结构，一般尺寸要大于1mm*1mm，
（2）测试之前要制备pad连线到poly（或者金属）和Si
（3）按照业界标准，至少测试100ea 样品才能得到有效的Vbd，Vbd是通过测试数据推算得到，并不是所有样品的平均值.
4. 测试标准：
恒定应力寿命试验和加速寿命试验方法总则GB/T2689.1
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