反应离子刻蚀机
plasma100
反应离子刻蚀机 plasma100 Oxford
- 技术参数:
- 功能特色:
- 1.刻蚀材料范围:Si、SiO2、Si3N4等硅基材料 2.样品尺寸:下电极尺寸240nm,最大可加工基片尺寸200mm,带有加热与冷却装置 3.射频电源:射频13.56MHz,功率0-600W可调 4.进样方式:开启式进样系统 5.供气系统:8路刻蚀气,包括CF4、CHF3、SF6、N2、He、O2、Ar等 6.控制系统:可设定刻蚀程序,刻蚀过程自动控制;含显示屏,显示工艺状态;具有良好用户界面
- 样品要求:
- 应用领域:
- 半导体微纳加工
- 收费标准:
- 价格 面议