离子体增强化学气相沉积(PECVD) NRE-4000 美国Nanomaster 公司
- 技术参数：
- 气路：N2O, SiH4, NH3, CH4, O2, Ar, N2 清洗气路: CF4/O2 混合气体 样品尺寸：8 英寸table,可沉积最大 6 英寸基片 控温范围： 室温至400℃ 沉积材料：氧化硅、氮化硅、碳化硅、 多晶硅等
- 功能特色：
- ECVD 系统可以借助微波或射频源 使含有薄膜组成原子的气体在局部 形成等离子体，利用等离子体的强化学活性发生反应，从而在基片上沉积出 所期的薄膜，具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好等优点。可沉积氧 化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等材料，能够实现对沉积厚度的精确控制， 还可以通过改变反应气体组分在一定范围内调节沉积薄膜的折射率，可应用 于微/纳结构中的抗腐蚀层、微纳电子器件中的绝缘层、薄膜太阳能电池等
- 样品要求：
- 应用领域：
- 半导体薄膜材料和其他材料薄膜的制备
- 收费标准：
- 价格 面议
