透射电子显微镜 Talos F200S FEI

技术参数:
性能指标: 加速电压:200KV 电子枪:S-FEG 肖克利场发射电子枪 TEM点分辨率:优于0.25nm TEM线分辨率:优于0.14nm HAADF-STEM分辨率:优于0.16nm STEM探头:1BF+2ADF+1HAADF 样品倾转角度:α(±30°); β(±20°) 能谱:FEI Super-X EDS系统,无窗双探头SDD,固体角大于0.45srad
功能特色:
透射电镜制样设备: Gatan 623手动研磨盘 Gatan 659圆片打孔机 Gatan 656型凹坑仪 Gatan 695 PIPSII型离子减薄仪 TenuPol-5电解双喷减薄机 Allied MultiPrep精密磨样系统
样品要求:

送样要求 1) 样品检测之前请仔细阅读检测须知,导师/领导签字之后方可测试; 2) 不接受有毒、有害、有放射性、磁性、低熔点或者易分解样品测试;造成的电镜和人员损伤由测试课题组全额承担; 3) 不接受潮湿、能放出气体的样品;透射电镜样品需要仔细烘干; 4)送检人员不得触碰透射电镜任何硬件;私自触碰硬件造成的损失由测试课题组全额承担; 5)附注: a)如果由于样品潮湿造成电镜腔体污染的,需要承担2小时的机时费。 b)不管是何种送检样品,厚度要低于100nm;否则无法得到高分辨照片;如果因为样品粒度太大导致测试无结果,需要0.5小时的起步机时费。 c) 离子减薄制样费的计算:因制样成功率受多种因素影响,失败样品的损失,送样人和本实验室各承担50%。成功的样品收费参照收费标准。

应用领域:
陶瓷、金属、高分子
收费标准:
价格   面议