透射电子显微镜
Talos F200S
透射电子显微镜 Talos F200S FEI
- 技术参数:
- 性能指标:
加速电压:200KV
电子枪:S-FEG 肖克利场发射电子枪
TEM点分辨率:优于0.25nm
TEM线分辨率:优于0.14nm
HAADF-STEM分辨率:优于0.16nm
STEM探头:1BF+2ADF+1HAADF
样品倾转角度:α(±30°); β(±20°)
能谱:FEI Super-X EDS系统,无窗双探头SDD,固体角大于0.45srad
- 功能特色:
- 透射电镜制样设备:
Gatan 623手动研磨盘
Gatan 659圆片打孔机
Gatan 656型凹坑仪
Gatan 695 PIPSII型离子减薄仪
TenuPol-5电解双喷减薄机
Allied MultiPrep精密磨样系统
- 样品要求:
送样要求
1) 样品检测之前请仔细阅读检测须知,导师/领导签字之后方可测试;
2) 不接受有毒、有害、有放射性、磁性、低熔点或者易分解样品测试;造成的电镜和人员损伤由测试课题组全额承担;
3) 不接受潮湿、能放出气体的样品;透射电镜样品需要仔细烘干;
4)送检人员不得触碰透射电镜任何硬件;私自触碰硬件造成的损失由测试课题组全额承担;
5)附注:
a)如果由于样品潮湿造成电镜腔体污染的,需要承担2小时的机时费。
b)不管是何种送检样品,厚度要低于100nm;否则无法得到高分辨照片;如果因为样品粒度太大导致测试无结果,需要0.5小时的起步机时费。
c) 离子减薄制样费的计算:因制样成功率受多种因素影响,失败样品的损失,送样人和本实验室各承担50%。成功的样品收费参照收费标准。
- 应用领域:
- 陶瓷、金属、高分子
- 收费标准:
- 价格 面议