磁控溅射镀膜系统（Lab 18） LAB18 美国Lesker
- 技术参数：
- 气体：Ar、O2、N2；样品台转速：最高转速30rmp;基片温度范围：室温至800 ℃；四英寸范围内非均匀性5%以内；系统的极限压强可达≤1x10-7Torr；溅射阴极：三个2吋标准磁控靶，一个2吋增强靶； 溅射电源：2个300wRF电源，2个直流电源（500w+1000w）；基片清洗电源： RF射频电源。
- 功能特色：
- 各种金属薄膜的溅射沉积；各种金属、非金属化合物薄膜的溅射沉积；可共溅射沉积薄膜；可反应溅射沉积氮化物和氧化物薄膜；可溅射沉积强磁材料薄膜。
- 样品要求：
- 小于4英寸。
- 应用领域：
- 收费标准：
- 价格 面议
