高密度等离子体增强化学气相沉积设备（ICP-CVD） KJLC LAB18 德国sentech
- 技术参数：
- 载片：直径小于100mm(4吋)的各种基片；气体：Ar、O2、N2、CF4、NH3、SiH4；基片温度范围：室温至300 ℃；ICP源功率：0-1000W；
- 功能特色：
- 可制备高质量、低应力的氧化硅、氮化硅及非晶硅薄膜。 适用基片尺寸4英寸整片和小碎片；温度范围RT-300℃；电源 RF和ICP；反应气体：SiH4 5% Ar 95% ，NH3 ，CF4 ，Ar，O2，N2；制备材料：SiO2、Si3N4、非晶Si；系统极限真空1E-5pA；膜厚均匀性<±5%；
- 样品要求：
- 小于4英寸。
- 应用领域：
- 收费标准：
- 价格 面议
