反应等离子体刻蚀机(RIE) Etchlab 200 德国 SENTECH Instruments GmbH
- 技术参数：
- 配置5路工艺气体：CF4、CHF3、Ar、O2、SF6；可是选择比大于3：1；刻蚀不均匀小于3%；本体真空＜10-5mbar；射频电源功率600W；可加工最大晶圆尺寸为8英寸。
- 功能特色：
- 该设备采用计算机程序控制，工艺过程可以通过程序设定，自动完成复杂工艺，可以刻蚀Si、SiO2、SiNx、金属等材料，SiO2刻蚀速率：175nm/min；Si3N4刻蚀速率：124nm/min。
- 样品要求：
- 小于4英寸。
- 应用领域：
- 收费标准：
- 价格 面议
