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Si ICP刻蚀机
601E
Si ICP刻蚀机 601E Alcatel
技术参数:
功能特色:
最大刻蚀深度大于600微米;刻蚀均匀性±<2.5%;常规多步硅刻蚀速率为5 到10 μm/min,最高可达18μm/min;硅/二氧化硅刻蚀选择比:>150:1,硅/光刻胶刻蚀选择比:>50:1,侧壁与底面夹角:90°±1°
样品要求:
应用领域:
半导体微纳加工
收费标准:
价格 面议
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