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Si ICP刻蚀机 601E Alcatel

技术参数：
功能特色：
最大刻蚀深度大于600微米；刻蚀均匀性±<2.5%；常规多步硅刻蚀速率为5 到10 μm/min，最高可达18μm/min；硅/二氧化硅刻蚀选择比：>150:1，硅/光刻胶刻蚀选择比：>50:1，侧壁与底面夹角：90°±1°
样品要求：
应用领域：
半导体微纳加工
收费标准：
价格   面议

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