未收藏
光刻系统
MA6/BA6
光刻系统 MA6/BA6 SUSS
技术参数:
功能特色:
双面曝光;线宽1μm;对准精度1μm;可以刻蚀各种规则和不规则的基片,最大基片尺寸6”
样品要求:
应用领域:
半导体微纳加工
收费标准:
价格 面议
为您推荐
热学分析:同步热分析仪TGA/DSC-1
TGA/DSC-1型热分析仪
扫描电镜:EBSD制样(米格)
Helios nanolab 460 HP
CEE匀胶机(6寸、4寸、其他)
cee 200x
紫外曝光机
MA6
免费咨询
我要使用