未收藏
光刻系统
MA6/BA6
光刻系统 MA6/BA6 SUSS
技术参数:
功能特色:
双面曝光;线宽1μm;对准精度1μm;可以刻蚀各种规则和不规则的基片,最大基片尺寸6”
样品要求:
应用领域:
半导体微纳加工
收费标准:
价格 面议
为您推荐
动态参数测试系统
Tesec-3430SW
光谱椭偏仪
GES5E
光致发光PL:室温光致发光发射谱PL(米格)
光致发光光谱仪PL
掩模版:光学玻璃版
激光直写加工
免费咨询
我要使用