未收藏
光刻系统
MA6/BA6
光刻系统 MA6/BA6 SUSS
技术参数:
功能特色:
双面曝光;线宽1μm;对准精度1μm;可以刻蚀各种规则和不规则的基片,最大基片尺寸6”
样品要求:
应用领域:
半导体微纳加工
收费标准:
价格 面议
为您推荐
透射电子显微镜
Tecnai F30
DXRD(摇摆曲线、双晶XRD)
Bede D1
等离子去胶机
Plasma 300
X射线衍射仪
S2
免费咨询
我要使用