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光刻系统
MA6
光刻系统 MA6 SUSS
技术参数:
功能特色:
双面曝光;线宽1μm;对准精度1μm;可以刻蚀各种规则和不规则的基片,最大基片尺寸6”
样品要求:
应用领域:
半导体微纳加工
收费标准:
价格 面议
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