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PT ICP刻蚀系统 VersalineTM LL-DSE Plasma Therm

技术参数：
功能特色：
在BOSCH工艺下，刻蚀速率≥4um，选择比（Si:PR）≥60:1，纵横刻蚀比≥30:1，侧壁粗糙度≤250nm。二氧化硅刻蚀速率速率≥0.2um，选择比（Si:PR）≥2:1。氮化硅刻蚀速率速率≥0.3um，选择比（Si:PR）≥3:1。
样品要求：
应用领域：
半导体微纳加工
收费标准：
价格   面议

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