场发射枪透射电子显微镜 JEM-2100F 日本电子

技术参数:
加速电压:80,120,160,180,200KV;样品倾斜角度:X方向正负25度,Y方向正负25度;点分辨率:0.19nm;线分辨率:0.14nm;束斑尺寸:小于0.5nm;STEM分辨率:0.20nm;EDS的接受角度:0.13sr
功能特色:
主要用于分析金属、半导体、化合物、超导体、陶瓷和矿物等材料的晶体结构、组织、形貌等,不仅可以分析周期性的晶体结构,也可以观察准晶、非晶、位错、层错等晶体缺陷以及晶界相界、畴界、表面等。
样品要求:
应用领域:
收费标准:
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