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高密度等离子体刻蚀系统（ICP 180) ICP-98C 中国科学院微电子研究所

技术参数：
ICP 离子源：0-3000W； RF 射频源：0-600W；样品尺寸：四英寸向下兼容；基底刻蚀温度：0-200℃可调；可刻蚀材料包括：GaN，GaAs，InP，蓝宝石等
功能特色：
该仪器作为一种新型的干法刻蚀手段，结合了RIE（反应离子刻蚀）和IBE（离子束刻蚀）的优点，用于硅基器件的研究制备，可以得到陡的侧壁和高的高宽比。
样品要求：
应用领域：
收费标准：
价格   面议

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