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高密度等离子体刻蚀系统 SI 500 SENTECH仪器（德国）有限公司

技术参数：
金属及金属氧化物刻蚀：速率＞30nm/min；SiO2刻蚀：速率＞150nm/min；纳米硅刻蚀：速率＞200nm/min，深宽比10：1。
功能特色：
金属、金属氧化物、介质层、有机聚合物及硅刻蚀。
样品要求：
固态。
应用领域：
收费标准：
价格   面议

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