高真空单室离子束刻蚀系统 未知 未知
- 技术参数：
- 1. 沉积室系统背底真空度：≤ 6x10-4 Pa；工作真空度：1.5×10-2Pa； 2. 最大离子束能量：1200ev；离子流密度：1～5mA/cm2；最大束流：120mA； 常规工作束流100mA；2.7、工作方式：离子源与直接或成角度对准样品台； 3. 考夫曼离子源电源，安装在真空室顶部； 4. 基片尺寸和数量：Ф100mm样品一次放置1片；基片台通水冷却；基片台可旋转。
- 功能特色：
- 样品尺寸：3英寸 每炉可放：1片3英寸或者相等面积的样品 刻蚀种类：薄膜等固体或者光刻胶 刻蚀速率：1 - 10纳米/分钟 选择比：3 离子束角度：可调节（0-30度）
- 样品要求：
-
样品尺寸：3英寸
每炉可放：1片3英寸或者相等面积的样品
- 应用领域：
- 收费标准：
- 价格 面议
