TO220封装的芯片异常分析
时间:20/01/10

TO-220C,TCT500后 IDSS BVDSS失效,分析有一颗芯片表面有类似烧伤,其余未见异常,这种封装上还有什么可能会造成呢?


以下供你参考,可以重点考虑粘片工艺控制过程造成异常。(塑封料与引线框架分层,形成水汽进入通路。此模式短期内可使器件的漏电增大,长时间可以引起电极电化学腐蚀。)

我们发现器件生产中或者器件可靠性的多种失效模式都产生于粘片工艺。我们认为以下缺陷与粘片工艺有关:


a、焊料缩锡,

塑封料与引线框架、芯片分层,以及在各种应力条件下分层情况加重是塑封器件的最重要的失效模式之一。塑封分层可引起器件的多种失效,一般有以下几种:


a、塑封料与引线框架分层,形成水汽进入通路。此模式短期内可使器件的漏电增大,长时间可以引起电极电化学腐蚀。

器件受到以下几种应力时,分层情况可能加剧:


a、器件安装时受到的机械或者热应力。
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