电子束曝光技术在MEMS、光电、光通讯、微波/功率器件、微纳加工、新材料研究等领域具有广泛应用。本系统是在SEM基础上加装EBL图形发生器改造而成，可以实现高分辨电子束曝光功能，并且具有良好的高分辨成像能力。可在毫米级小样品至2.5cm不规则样品上，实现大于100nm结构的加工。设备配备的热稳定性控制系统可保证在稍差环境也能得到所需曝光结果。本曝光系统主要用于：纳米级光刻；高分辨成像及低电压电子束光刻。

EBL的性能参数：

SEM型号：FEI Inspect F50

EBL图形发生器套件：Raith ELPHY Quantum

电子束电压：最高至30kV；

SEM最大放大倍数：14~1000,000x

最大写场尺寸：1000um*1000um

最小曝光线宽：100 nm

典型曝光线宽：1 um

推荐电子束胶：PMMA