9月20日上午，南京大学缪峰教授应邀来到理学院作了题为“二维材料的电子输运与器件物理研究”的精彩讲座。应用物理系及相关学科的师生参加了本次讲座。

缪峰教授主要研究二维材料的电子输运以及在器件方面的应用，并做出了出色的成绩。报告主要分为三个部分，一是第二类Weyl半金属的电子输运性质，二是单层ReS2的各向输运，三是异质结的电子性质和光探测。

缪峰教授首先介绍了第二类Weyl半金属的电子输运性质。对于第二类Weyl半金属，它的输运性质与第一类Weyl半金属有着很大的不同。由于体费米面的存在，它只在某个方向具有手征反常即负磁阻，在其他方向没有。因此测量负磁阻以及各向异性是确定其第二类Weyl半金属的关键证据。首先选取合适的层厚，由于Weyl半金属属于三维性质，太薄了观测不到；太厚了Weyl点的性质又会淹没在体态中。在选取了合适的层厚以后，通过仔细的测量发现了明显的负磁阻现象以及手征反常的各向异性，从而确定出WTe2是第二类Weyl半金属。第二个部分是关于ReS2的各向异性。在制备ReS2过程中发现，单层ReS2的边界夹角始终是60°或者120°，这个现象非常有趣。与理论计算小组合作发现，这是ReS2的强各向异性导致的。另外也发现ReS2的电子结构对于层厚的依赖很弱。报告的第三部分是关于石墨烯、氧化二硫化钼形成的异质结。这种异质结是做忆阻器的理想材料。相对于传统的忆阻器，石墨烯氧化二硫化钼异质结具有高热稳定性、界面分明、三维堆叠容易等优点因而具有很高的应用价值。

20日下午，澳大利亚昆士兰理工大学的寇良志教授应邀作了题为“Multiferroics and Coupling with Topological Insulators in 2D Limits”的精彩讲座。应用物理系及相关学科的广大师生参加了本次讲座。

寇良志教授主要通过第一性原理计算研究二维多铁材料，以及二维铁电拓扑绝缘体的性质。报告主要分为两个部，一是二维铁电拓扑绝缘体，二是硼烯中的铁弹以及机械性质与电子结构的耦合。

寇良志教授首先介绍了多铁的概念，并且阐述了铁电体作为存储材料的优越性。由于二维拓扑绝缘体具有无耗散的边缘态，因此在电子器件的应用上具有巨大的优势。当二维拓扑绝缘体与多铁性结合在一起会产生新现象与性质。

寇良志教授介绍了由CH2OH钝化的单层Bi原子六角格子。由于Bi具有强的自旋轨道耦合，单层Bi是一个具有1eV大的能隙的二维拓扑绝缘体，而当加上CH2OH官能团以后，其拓扑性没有改变，但是随着官能团的旋转，其具有了铁电性。铁电的出现使得二维单层Bi的能带在Γ点发生了类Rashba的劈裂。在K点和K’点的劈裂不一样，产生了谷极化。使得单层Bi原子出现了许多新现象。

接着寇良志教授介绍了硼烯的铁弹性，在官能团钝化硼烯以后，出现了负泊松比，这一发现极大的扩展了硼烯的研究以及应用范围。

报告结束后的提问环节，同学们都踊跃提问。两位教授的报告对于本课题组和其他实验组的师生都有非凡的指导和借鉴意义。